Spezifikationsänderungen Für Transistorausgangsbaugruppen - Omron SYSMAC CS1 serie Technisches Handbuch

Spezifikationen der E/A– und Multi–E/A–Baugruppen
Spezifikationsänderungen für Transistorausgangsbaugruppen
Einige der Spezifikationen der folgenden Baugruppen mit Transistorausgängen wurden verbessert.
NPN–Ausgangskomponenten wurden durch Feldeffekt–Transistoren (FET) ersetzt. Ein Teil der Schaltungskonfi-
guration ist geändert worden. Durch diese Änderungen wurden die Leistungskenndaten nicht beeinflusst; beim
Anschliessen der Polarität der Lastversorgungsspannung muss jedoch sorgfältig vorgegangen werden. Die Aus-
gänge arbeiten nicht zuverlässig, wenn die Polarität vertauscht wird. Überprüfen Sie die Herstellungsnummer auf
der Baugruppe, bevor Sie diese verdrahten.
Name
Transistor–Ausgangsbaugruppe
DC–Eingangs–/Transistor–
Ausgangsbaugruppen
Transistor–Ausgangsbaugruppen a s s o usga gsbaug u
Herstellungsnummern
Die folgenden Abbildungen und Tabellen enthlten die Spezifikationen der E/A– und Multi–E/A–Baugruppen. Se-
hen Sie Abschnitt 3 Bezeichnungen, Funktionen und Abmessungen für Abmessungen.
530
Modell
C200H-OD215
C200H–MD215
e C200H-OD218
C200H-OD219
jjZ9
Jahr: Letzte Ziffer des Kalenderjahrs; z.B., 1999 9, 2000 0
Monat: 1 bis 9 (Januar bis September), X (Oktober), Y (November), Z (Dezember)
Tag 01 bis 31
Änderungsdatum
Hergestellt am oder nach e ges e a ode ac
d dem 30. November 1999 30 N b 1999
Hergestellt am oder nach e ges e a ode ac
dem 31. Januar, 2000 d 31 J 2000
Anhang A
Herstellungsnummer
(Sehen Sie unten.)
30 9 ode s ä e 30Y9 oder später
3 0 ode s ä e 3110 oder später