Hitachi CL32W30TAN Wartungshandbuch Seite 142

appliquée à la porte de Q4, mettant le transistor à effet de champ MOS en et hors service, générant ainsi les sorties dans les
enroulements secondaires de T1.
Après la mise sous tension initiale, la broche 7 de IC10 est alimentée par la broche 4 de l'enroulement de polarisation de T1 via D31
pour une fonctionnement continu, et R15 est incapable de fournir la demande en courant de fonctionnement pour IC10 [20 mA].
Un circuit de détection de courant constitué de R74, R75 et R79 renvoie une tension à la broche 3 de IC10, cette tension est égale
à environ 0,8 V. Au cas où la tension appliquée dépasserait la référence, la largeur d'impulsion est limitée par la broche de sortie 6
[puce en mode surintensité]. De cette façon, Q4 est protégé contre tout changement du courant primaire. La protection de
surtension du secondaire est aussi assurée par R77 ; si le retour est désactivé la tension du secondaire est limitée à des niveaux
sûrs, la sortie de la broche 6 est limitée par l'amplificateur d'erreur interne et la référence interne.
R21 et C31 jouent le rôle d'un circuit de démarrage en douceur, qui limite la sortie de largeur d'impulsion de la broche 6 pendant la
période initiale du démarrage, permettant ainsi une augmentation progressive jusqu'à la pleine puissance. ZD3 & 4 se mettent en
court-circuit si Q4 se met en court-circuit, protégeant ainsi IC10.
La tension secondaire induite dans l'enroulement 11/4 de T1 est redressée par D15, produisant 38 V ; cette tension est lissée par
C40. Cette tension est ensuite réduite pour fournir 30 V à 20 mA via R96, et est bloquée par ZD21.
L'enroulement 10/14 produit 5 V à 1,5 A lorsque la tension redressée par D17 et lissée par C37 & 38. Ce rail de tension, qui est le
rail d'intensité la plus élevée, est utilisé pour la régulation via IC8 et assure le retour via IC4 à la broche 1 de IC10. A partir du rail de
5 V, un rail de 3V3 est extrait à 2,7 A. La sortie de courant est contrôlée par un circuit de modulation d'impulsions en largeur
constitué d'un transistor à effet de champ MOS Q9, la commande de la porte est assurée par Q10, et les broches 1 et 2 de IC6 sont
alimentées par un circuit de génération d'ondes en dents de scie constitué de D20, ZD9, R32, C44, D19, C43 et R30. La broche 3
Consultez la section
est alimentée par des signaux CC variables via IC7 et R31. Le rail de tension 3V3 est régulé par IC7.
consacrée au convertisseur +5/+8 V C.C.-C.C. de l'étage principal.
L'enroulement 8/14 fournit 12 V depuis D16, C35 et le condensateur de lissage C39, en outre un rail de 9 V est fourni par le
régulateur IC6.
PROTECTION DU SECONDAIRE : assurée via broche 7 de IC6. La broche 6 de IC6 est réglée à une tension constante d'environ 3
V, la broche 5 est utilisée comme point de détection de surtension, D18, 25 et 33 sont utilisés pour réduire la broche 5 en dessous
de la broche 6 pendant une surintensité ; dans cet état la broche 7 est à un niveau bas ce qui désactive le point de retour broche 1
de IC10 et coupe l'alimentation.
FONCTIONNEMENT DE LA RÉACTION
L'augmentation de la demande de charge des rails du secondaires résulte en un retour de tension plus élevé sur la cathode de IC8,
qui à son tour augmente la tension sur la broche 1 de IC10. Cette tension est comparée à la dent de scie produite sur la broche 4
via R76 & C95. Ceci produit l'impulsion carrée de commande de porte avec un temps hors service plus long et par conséquent plus
la demande est importante et plus le rapport cyclique est important, et vice versa.
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