Robotron Z 1013 Handbuch Seite 8

Je nach Eingabe der Information unterscheidet man: ROMs, die
bereits während der Herstellung ihre Informationen erhalten
und ROMs, die
können (ein einmaliger Vorgang, da die Struktur des Speichers
verändert wird).
(Programmable ROM). Eine weitere Speicherart kann sowohl pro-
grammiert als auch wieder gelöscht werden. Das Löschen erfolgt
mit ultraviolettem
gesamten Speicher. Diese Speicherart nennt man EPROM (Erasable
PROM). Das Einschreiben der Programme in den EPROM geschieht
mit speziellen Funktionseinheiten, sogenannten EPROM-Program-
miergeräten.
In den EPROM wird die zu speichernde Information mittels einer
Programmierspannung
Erreichen einer
programmiert. Die Bestrahlung mit UV-Licht hat zur Folge, daß
die gespeicherte Ladungsmenge wieder abgebaut wird.
Nach dem Löschen ist der EPROM wieder programmierbar.
2.2.2.2. Datenspeicher (Schreib-Lese-Speicher)
Zur Aufbewahrung
veränderbaren
verwendet.
Da diese Speicher wahlweise gelesen oder beschrieben werden
können, nennt man sie Speicher mit wahlfreiem Zugriff (Random
access memory - RAM). Mit Abschalten der Stromversorgung ver-
lieren RAMs ihren Inhalt, sie sind also nicht zur Aufbewahrung
von Informationen verwendbar, die immer verfügbar sein müssen.
Es werden zwei grundsätzliche Typen unterschieden:
statische und dynamische RAMs.
In den statischen RAMs werden Transistorkombinationen zur Auf-
bewahrung der Informationen verwendet. Eine solche Transistor-
kombination kann
behält eine somit eingetragene Information bis zum Abschalten
oder Überschreiben mit einer neuen Information.
Dynamische RAMs speichern die Information als Ladung eines
kleinen Kondensators
Selbstentladung
wird mit REFRESH
wird bereits erreicht, wenn der Speicher gelesen wird. Die CPU
U880 unterstützt diesen Vorgang durch Aussenden einer REFRESH-
Information,
unter allen Umständen zu gewährleisten. Werden die Zellen der
dynamischen RAMs
aufgefrischt, geht ihre gespeicherte Information verloren.
Trotz des nicht unerheblichen Mehraufwandes werden dynamische
RAMs verwendet, da sie bei gleichen Abmessungen der Bausteine
eine größere Speicherkapazität und kleinere Leistungsaufnahme
gegenüber statischen RAMs aufweisen.
nachträglich
Diese letztgenannten
Licht
als
vorgegebenen
von Zwischenergebnissen
Informationen
zwei verschiedene
ab.
periodisch
(Auffrischen)
um die zeitlichen
nicht spätestens
elektrisch
Speicher
(UV-Licht) und
Ladungsmenge
Ladung
werden
Zustände
Diese Ladung
erneuert werden;
bezeichnet.
Bedingungen
nach
5
programmiert
heißen
löscht immer
eingegeben.
ist der Baustein
oder
Schreib-Lese-Speicher
annehmen
muß auf Grund
dieser
Das Auffrischen
zum Auffrischen
2 Millisekunden
werden
PROM
den
Nach
anderen
und
der
Vorgang