reer Pharo Betriebsanleitung Seite 96

PHARO
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Schaltausgangspaar
Schaltspannung HIGH bei 500 mA
Schaltspannung LOW
Source Schaltstrom
11)
Leckstrom
12)
Lastinduktivität
Lastkapazität
Schaltfolge (ohne Umschaltung und ohne
simultane Überwachung)
Zulässiger Leitungswiderstand
14)
Testpulsbreite
Testhäufigkeit
Einschaltzeit der OSSDs von Rot nach Grün
Zeitversatz beim Einschalten der OSSDs
zwischen OSSD2 und OSSD1
Meldeausgänge Warnfeld, Verschmutzung der
Frontscheibe/Fehler, Rücksetzen erforderlich
Schaltspannung HIGH bei 200 mA
Source Schaltstrom
Strombegrenzung (nach 5 ms bei 25°C)
Einschaltverzögerungszeit
Ausschaltverzögerungszeit
10)
Gilt für Spannungen im Bereich zwischen U
11)
Im Fehlerfall (Unterbrechung der 0-V-Leitung) fließt maximal der Leckstrom in der OSSD-Leitung. Das nach-
geschaltete Steuerelement muss diesen Zustand als LOW erkennen. Eine FSPS (fehlersichere speicher-
programmierbare Steuerung) muss diesen Zustand erkennen.
12)
Bei geringer Schaltfolge ist die maximal zulässige Lastinduktivität höher.
13)
Begrenzen Sie den einzelnen Leiteraderwiderstand zum nachgeschalteten Steuerelement auf diesen Wert,
damit ein Querschluss zwischen den Ausgängen sicher erkannt wird. (Beachten Sie außerdem die
EN 60 204-1.)
14)
Die Ausgänge werden im aktiven Zustand zyklisch getestet (kurzes LOW-Schalten). Achten Sie bei der Auswahl
der nachgeschalteten Steuerelemente darauf, dass die Testpulse nicht zu einer Abschaltung führen.
Minimal
2 PNP-Halbleiter, kurzschlussfest
querschlussüberwacht
U – 2,7 V
V
0 V
6 mA
Abhängig von der Lastinduktivität
13)
U – 3,3 V
V
600 mA
und 0 V.
v
Typisch Maximal
10)
,
U
V
0 V 3,5 V
0,2 A 0,5 A
250 µA
2,2 H
2,2 µF bei
50
2,5
230 µs 300 µs
120 ms
120 ms
1,3 ms 2 ms
U
V
100 mA 200 mA
920 mA
1,4 ms 2 ms
0,7 ms 2 ms
8540587 - Rev.1