Modèles.
Puissances disponibles (VA / kW).
Ports de communication.
Connecteur pour installation EPO externe.
Slot pour cartes optionnelles.
Logiciel de surveillance.
Bruit acoustique à 1 m en mode batteries.
Température de travail.
Température de stockage avec batteries.
Température de stockage sans batteries.
Altitude de travail.
Humidité relative.
Degré de protection.
Dimensions (mm)
Profondeur x Largeur x Hauteur.
Poids (kg).
Sécurité.
Compatibilité électromagnétique (CEM).
Fonctionnement.
Marquage.
Système qualité.
Tab. 15. Spécifications techniques générales ADVANCE T.
10.1. GLOSSAIRE.
CA.-
Est appelé courant alternatif (CA abrégé en français et AC
•
en anglais) le courant électrique dont l'amplitude et la direction
varient cycliquement. La forme d'onde du courant alternatif le plus
couramment utilisé est celle d'une onde sinusoïdale, car une trans-
mission d'énergie plus efficace est obtenue. Cependant, dans
certaines applications, d'autres formes d'onde périodiques sont
utilisées, telles que des formes d'onde triangulaires ou carrées.
Bypass.-
Manuel ou automatique, il s'agit de l'union physique
•
entre l'entrée d'un appareil électrique et sa sortie.
CC.-
Le courant continu (CC abrégé en français et DC en anglais)
•
est le flux continu d'électrons à travers un conducteur entre deux
points de potentiel différent. Contrairement au courant alternatif,
dans le courant continu, les charges électriques circulent toujours
dans la même direction du point de plus grand potentiel au point le
plus bas. Bien que le courant continu soit communément identifié
au courant constant (par exemple, celui fourni par une batterie),
tout courant qui maintient toujours la même polarité est continu.
DSP.-
C'est l'acronyme de Digital Signal Processor, qui signifie
•
Processeur Numérique de Signal. Un DSP est un système basé
sur un processeur ou un microprocesseur qui a un ensemble d'ins-
tructions, matériel et logiciel optimisé pour les applications qui
nécessitent des opérations numériques à très haute vitesse. Pour
cette raison, il est particulièrement utile pour le traitement et la
représentation des signaux analogiques en temps réel : dans un
système qui fonctionne de cette façon (en temps réel) des échan-
tillons sont reçus (« samples » en anglais), généralement à partir
d'un convertisseur analogique / numérique.
86
850 VA / 595 W
Modules onduleur.
Module
batteries
-
optionnel.
Modules onduleur.
11,8
Modules onduleur (B1).
-
Module
batteries
-
optionnel.
ADVANCE T
1 000 VA / 700W
1 500 VA / 1050W
(1 RS232 -DB9- et 1 USB, s'excluant mutuellement en termes de fonctionnement).
Oui
SNMP
PowerMaster (téléchargement gratuit)
< 45 dB
0.. +40 ºC
-20.. +50 ºC
-20.. +70 ºC
2.400 m s.n.m. (Dégradation de puissance jusqu'à 5 000 m)
0.. 90 % non condensée.
IP20
327 x 140 x 191
327 x 140 x 191
13,5
14,4
8,3
10,2
10,2
10,2
EN IEC 60240-1
EN IEC 60240-2
EN-IEC 62040-3
CE
ISO 9001 et ISO 140001 (certification de l'organisme SGS)
Facteur de puissance.-
•
cuit à courant alternatif est défini comme le rapport entre la puis-
sance active, P, et la puissance apparente, S, ou comme le cosinus
de l'angle formé par les facteurs d'intensité et de tension, étant
désigné dans ce cas comme cos f , f étant la valeur de cet angle.
GND.-
Le terme terre (en anglais GROUND, d'où vient l'abréviation
•
GND), comme son nom l'indique, fait référence au potentiel de la
surface de la Terre.
Filtre EMI.-
Filtre capable de réduire de manière significative les
•
interférences électromagnétiques, c'est-à-dire la perturbation
qui se produit dans un récepteur radio ou dans tout autre circuit
électrique causé par un rayonnement électromagnétique prove-
nant d'une source externe. Il est également connu sous le nom
de EMI pour son acronyme anglais (ElectroMagnetic Interference),
Radio Frequency Interference ou RFI. Cette perturbation peut in-
terrompre, dégrader ou limiter les performances du circuit.
IGBT.-
Le transistor bipolaire à porte isolée (IGBT, en anglais
•
Radio Frequency Interference) est un dispositif semi-conducteur
qui est généralement appliqué comme un interrupteur commandé
dans les circuits d'électronique de puissance. Ce dispositif pos-
sède les caractéristiques des signaux de porte des transistors à
effet de champ avec la capacité de courant élevé et tension de
faible saturation du transistor bipolaire, en combinant une porte
FET isolée pour l'entrée et la commande et un transistor bipolaire
comme un seul interrupteur dans un seul dispositif. Le circuit d'ex-
citation de l'IGBT est similaire à celui du MOSFET, alors que les
caractéristiques de conduction sont similaires à celles du BJT.
2 000 VA / 1 400 W 3 000 VA / 2 100 W
< 50 dB
416 x 196 x 342
416 x 196 x 342
14,4
27,6
12,5
22,1
10,2
31,5
Le facteur de puissance, f.d.p., d'un cir-
SALICRU