Salicru SPS ADVANCE R2 Betriebsanleitung Seite 146

Modelle.
Verfügbare Leistungen (VA / W).
Stecker zur Installation des externen Not-Aus-Schalters
Slot für optionale Karten.
Überwachungssoftware.
Geräuschpegel in 1 m im Batteriemodus.
Betriebstemperatur.
Lagertemperatur mit Batterien.
Lagertemperatur ohne Batterien.
Betriebshöhe.
Relative Feuchtigkeit.
Schutzart.
Abmessungen (mm)
Tiefe x Breite x Höhe
Gewicht (Kg)
Sicherheit.
Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV).
Betrieb.
Kennzeichnung.
Qualitätssystem.
Tab. 15. Allgemeine technische Spezifikationen ADVANCE T.
9.2. GLOSSAR.
AC.- Als Wechselstrom (abgekürzt WS auf Deutsch und AC
•
auf Englisch) wird der elektrische Strom bezeichnet, bei dem
die Größe und Richtung zyklisch variieren. Die Wellenform des
am häufigsten verwendeten Wechselstroms ist die Sinus-
welle, da diese eine effizientere Energieübertragung erzielt. In
bestimmten Anwendungen werden jedoch andere periodische
Wellenformen verwendet, wie zum Beispiel die dreieckigen
oder rechteckigen Wellenformen.
Bypass.-
Manuell oder automatisch, dabei handelt es sich um
•
die physische Verbindung zwischen dem Eingang einer elektri-
schen Vorrichtung und ihrem Ausgang.
DC.-
Der Gleichstrom (GS auf Deutsch, DC - Direct Current auf
•
Englisch) ist ein kontinuierlicher Elektronenfluss über einen
Leiter zwischen zwei Punkten mit unterschiedlichem Poten-
zial. Der Unterschied zum Wechselstrom (WS auf Deutsch, AC
auf Englisch) besteht darin, dass beim Gleichstrom die elekt-
rischen Lasten immer in der gleichen Richtung zirkulieren und
zwar vom Punkt mit dem größten Potenzial zum Punkt mit dem
niedrigsten Potenzial. Obwohl in der Regel der Gleichstrom
als konstanter Strom (z. B., der von einer Batterie gelieferte
Strom) bezeichnet wird, ist Gleichstrom der gesamte Strom,
der immer die gleiche Polarität beibehält.
DSP.-
Ist die Abkürzung für Digital Signal Processor, was
•
digitaler Signalprozessor bedeutet. Ein DSP ist ein System,
basierend auf einem Prozessor oder Mikroprozessor, der eine
Reihe von Befehlen, Hardware und Software aufweist, die für
Anwendungen, die numerische Operationen mit sehr hoher
Geschwindigkeit erfordern, optimiert sind. Dadurch ist es be-
sonders nützlich für die Bearbeitung und Darstellung von ana-
logen Signalen in Echtzeit: Bei einem System, das auf diese
Weise arbeitet (Echtzeit), werden Muster (Samples in Eng-
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850VA / 595W
USV-Module.
Batteriemodul optional. -
USV-Module. 11,8
USV-Module (B1). -
Batteriemodul optional. -
ADVANCE T
1000VA / 700W 1500VA / 1050W
Ja
SNMP
PowerMaster (kostenloser Download).
< 45 dB
0.. +40 ºC
-20.. +50 ºC
-20.. +70 ºC
2.400 m über dem Meeresspiegel (Leistungsminderung bis 5.000 m)
0.. 90 % nicht kondensiert.
IP20
327 x 140 x 191
327 x 140 x 191
13,5 14,4
8,3 10,2
10,2 10,2
EN IEC 60240-1
EN IEC 60240-2
EN-IEC 62040-3
CE
ISO 9001 und ISO 140001 (vom Institut SGS zertifiziert)
lisch), normalerweise von einem analogen/digitalen Wandler
(ADC), empfangen.
Leistungsfaktor.-
Der Leistungsfaktor (LF) eines Wechsel-
•
stromkreises wird als das Verhältnis zwischen der Wirkleistung
P und der Scheinleistung S oder als der Kosinus des Winkels,
der durch die Intensitätsfaktoren und die Spannung gebildet
wird, definiert. In diesem Fall als cos fbezeichnet, wobei f der
Wert dieses Winkels ist.
GND.- Der Begriff Masse (auf Englisch GROUND, von der die
•
Abkürzung GND stammt) bezieht sich, wie der Name schon
sagt, auf das Potenzial der Erdoberfläche.
EMI-Filter Filter, der in der Lage ist, elektromagnetische Stö-
•
rungen, die in einem Radioempfänger oder in einem anderen
elektrischen Stromkreis durch elektromagnetische Strahlung
von einer externen Quelle verursacht werden, erheblich zu re-
duzieren. Er ist auch bekannt als EMI, englische Abkürzung für
ElectroMagnetic Interference, oder als RFI - Radio Frequency
Interference. Diese Störung kann die Leistung des Strom-
kreises unterbrechen, verschlechtern oder begrenzen.
IGBT.-
Der zweipolige Transistor mit isoliertem Gate (IGBT,
•
aus dem englisch Insulated Gate Bipolar Transistor) ist eine
Halbleitervorrichtung, die allgemein als gesteuerter Schalter
in elektronischen Leistungskreisen verwendet wird. Diese Vor-
richtung besitzt die Eigenschaften von den Gate-Signalen der
Feldeffekt-Transistoren mit der Kapazität hoher Stromstärke
und niedriger Sättigungsspannung des Bipolartransistors,
wobei ein isoliertes FET-Gate für die Eingangssteuerung und
ein Bipolartransistor als einen Schalter in nur einer Vorrichtung
kombiniert wird. Der Erregerstromkreis des IGBT entspricht
dem des MOSFET, während die Treibereigenschaften denen
des BJT ähnlich sind.
Schnittstelle.-
In der Elektronik, Telekommunikation und
•
Hardware ist eine (elektronische) Schnittstelle der Anschluss
2000VA / 1400W 3000VA / 2100W
< 50 dB
416 x 196 x 342
416 x 196 x 342
14,4 27,6
12,5 22,1
10,2 31,5
SALICRU