ABB REC670 Handbuch Seite 125

1MRK 511 190-UDE B
Applikationshandbuch
L1 L2 L3
(A) (B) (C)
CT 1500/5
Stern/Y-
verbunden
geschütztes Objekt
L1 L2 L3
(A) (B) (C)
en07000194.vsd
IEC07000194 V1 DE
Abb. 48: Stromwandler-Verbindungen für selektiven Erdfehlerschutz
• Nummer 1 zeigt den Erdungspunkt der Stromwandlerkreise. Beachten Sie,
dass es äußerst wichtig ist, die Wandlerkreise nur an einem Punkt zu erden!
• Nummer 2 zeigt eine einphasige Blechplatte mit Stabilisierung- und Metrosil-
Widerständen.
• NNummer 3 zeigt die notwendige Verbindung für die den Metrosilwiderstand.
Die abgebildeten Verbindungen sind für beide Typen der Einphasenplatte
anwendbar.
• Nummer 4 zeigt die Position des optionalen Testschalters für die
Sekundärspeisung in das Hochimpedanz-Differentialrelais.
• Nummer 5 zeigt die notwendige Verbindung für den Einstellwiderstand. Die
abgebildeten Verbindungen sind für beide Typen der Einphasenplatte
anwendbar.
• Nummer 6 zeigt, wie der REF Hochimpedanzkreis an einen CT eingang im
IED 670 angeschlossen wird.
• Nummer 7 zeigt ein TRM Modul, wo dieser Stromeingang lokalisiert ist.
Beachten Sie, dass das CT Verhältnis für die Hochimpdanz-
Differentialschutzanwendung auf eins eingestellt werden muss! Somit müssen
für den Hauptstromwandler mit 1A Sekundärverhältnis folgende
Einstellungswerte eingegeben werden: CTprim=1A und CTsec=1A; während
für den Hauptstromwandler mit 5A Sekundärverhältnis folgende
Einstellungswerte eingegeben werden müssen: CTprim=5A und CTsec=5A.
Das ParameterCTStarPoint muss immer auf dem Standardwert ToObject
belassen werden.
• Nummer 8 zeigt eine Verbindung, die im Signal Matrix Tool (d.h. SMT)
erstellt werden, welche diesen Stromeingang mit dem ersten Eingangskanal
des SMAI-Funktionsblocks (10) verbindet. Für den Hochimpedanz-
1
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3
4
5
6
6
7
8
9
10
11
12
N
1
N
4 5
X1
2
3
1-PH-Platte mit Metrosil-Widerständen
Abschnitt 4
IED Anwendung
7
AI01 (I)
AI02 (I)
AI03 (I)
AI04 (I)
AI05 (I)
8
AI06 (I)
IED 670
4
1 2 3
5
9
121