Bender ISOMETER isoEV425 Handbuch Seite 39

HiS Display

± R kΩ

C μF

~ ± U L1 L2

± U L1

± U L2

± R
-
U R = kΩ
 : Messwert kann im Historienspeicher angezeigt werden
isoEV425_D00126_09_M_XXDE/03.2019
Isolationswiderstand
1 kΩ ...1 MΩ
Netzableitkapazität
1 μF ... 10 μF (isoEV425)
1 μF ... 25 μF (isoEV425HC)
Netznennspannung L1 - L2
V
0 V ... 1,20 kV
RMS
Verlagerungsspannung L1/+ - PE
V
=
0 V ... ±1,20 kV
DC
Verlagerungsspannung L2/- - PE
V
=
0 V ... ±1,20 kV
DC
Fehlerort in %
-100% ...+100%
Anzeige nur ab U
%
R = (200% * R
L1F
R = (200% * R
L2F
Isolationswiderstand
1 kΩ ... 1 MΩ
R ist ein Näherungswert für unsymmetrische Isolati-
UGF
onsfehler und dient als Tendenzanzeige mit kurzen
Messzeiten. Er wird aus der DC-Netzspannung ( > 50 V )
bestimmt und stimmt nur bei rein einseitigen
Isolationsfehlern. Sind gleichzeitig an L1/+ und L2/- Iso-
lationsfehler vorhanden, wird der Wert zu hochohmig
angezeigt.
Beschreibung
R
F
Auflösung 1 kΩ
Auflösung 1 μF
Auflösung 1 V
RMS
Auflösung 1 V
DC
Auflösung 1 V
DC
≥ 100 V
n DC
)/(100% + x%)
F
)/(100% - x%)
F
R
UGF
Auflösung 1 kΩ
.
C
e
U
n
/10 V
RMS
U
L1e
/10 V
DC DC
U
L2e
/10 V
DC DC
RMS
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