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Wobei:
Vs = ideale DUT-Spannung
Rs = DUT-Quellwiderstand
Ri = Eingangswiderstand (10 MΩ oder >10 GΩ)
Stellen Sie den DC-Eingangswiderstand des DMM bei Bedarf auf mehr als 10 GΩ ein, um Ladefehler zu mini-
mieren.
Ladefehler aufgrund von Eingangsstrom
Die in den Eingangskreisen des internen DMM verwendeten Halbleitergeräte verfügen über geringfügige
Kriechströme, die als Eingangsströme bezeichnet werden. Der Eingangsstrom bewirkt einen Ladefehler an
den Eingangsanschlüssen des internen DMM. Der Kriechstrom verdoppelt sich bei jedem Tem-
peraturanstieg von 10 °C, weshalb das Problem bei höheren Temperaturen viel offensichtlicher wird.
Wobei:
I
= DMM-Vorspannungsstrom
b
R
= DUT-Quellwiderstand
s
R
= Eingangswiderstand (10 MΩ oder >10 GΩ)
i
C
= DMM-Eingangskapazität
i
Fehler (V) = I
× R
b
s
Wechselspannungsmessungen
Der Hauptzweck eines Wechselspannungs-„Front-Ends" ist, den Eingang der Wechselspannung in eine
Gleichspannung zu ändern, die vom ADC gemessen werden kann.
Keysight DAQ970A Benutzerhandbuch
4 Messanleitungen
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