J) Basis-Emitter Spannungsabfall; K) Kollektor Ableitstrom - VOLTCRAFT TT100 Bedienungsanleitung

j) Basis-Emitter Spannungsabfall

Die DC-Charakteristik des Basis-Emitter- Verbindung wird ange-
zeigt, sowohl der Vorwärtsspannungsabfall des Basis-Emitters als
auch der für die Messung verwendete Grundstrom.
Der Spannungsabfall des Basis-Emit-
ters kann bei der Identifizierung von
Silizium- oder Germanium-Geräten hilf-
reich sein. Germanium-Geräte können
Basis-Emitterspannungen von bis zu
0,2 V aufweisen, Silizium-Typen zeigen
Werte von etwa 0,7 V und Darlington-
Transistoren können aufgrund der vielen
gemessenen Basis-Emitter Übergänge
Werte von etwa 1,2 V aufweisen.

k) Kollektor Ableitstrom

Der Kollektorstrom, der bei fließendem Grundstrom entsteht, wird
als Ableitstrom bezeichnet. Die meisten modernen Transistoren
weisen auch bei sehr hohen Kollektor-Emitter Spannungen extrem
niedrige Ableitstromwerte auf, oft unter 1 µA.
Ältere Germaniumtypen können jedoch
insbesondere bei hohen Temperaturen
(Leckstrom kann sehr temperaturabhän-
gig sein) unter starkem Kollektorleck-
strom leiden.
Wenn Ihr Transistor ein Silizium Typ ist, sollten Sie mit einem Ab-
leitstrom von etwa 0,00 mA rechnen, es sei denn, der Transistor
ist defekt.
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