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Kapitel 3
SDRAM RAS-to-CAS Delay
Zwei Optionen stehen zur Verfügung: 2 und 3. Die Standardeinstellung ist 3. Mit diesem
Menüpunkt können Sie eine Timingverzögerung zwischen den CAS- und RAS-
Abtastimpulsen einstellen, die angewandt wird, wenn zu DRAM geschrieben, davon
gelesen, oder es wiederaufgefrischt wird. Fast bietet schnellere Leistung; und Slow stabilere
Performance. Dieser Menüpunkt ist nur aktiv, wenn in Ihrem System synchrones DRAM
installiert ist.
SDRAM RAS Precharge Time (SDRAM RAS-Vorausladezeit):
Zwei Optionen sind vorhanden: 2 und 3. Die Vorausladezeit ist die Zyklenanzahl, die der
RAS braucht, um seine Ladung vor dem DRAM-Refresh zu akkumulieren. Wenn die Zeit
nicht ausreichend eingestellt ist, dann kann es passieren, dass das Refresh nicht
vervollständigt wird und der DRAM die Daten nicht behalten kann. Nur wenn ein
synchroner DRAM im System installiert ist, wird diese Einstellung verwendet.
SDRAM CAS Latency Time:
Zwei Optionen stehen zur Verfügung: 2 und 3. Die Standardeinstellung ist 3. Sie können die
Wartezeit für SDRAM CAS (Column Address Strobe) gemäß den technischen Daten Ihres
SDRAM auswählen.
SDRAM Precharge Control (SDRAM-Vorausladesteuerung):
Diese Option bestimmt die Reaktion bei Vermissen einer Seite (nur bei SDRAM). Der
SDRAM lädt bei allen Befehlen voraus und gibt eine stabilere Leistung, wenn diese Option
deaktiviert ist.
DRAM Data Integrity Mode:
Sie können folgende Modi wählen : Non-ECC oder ECC. Diese Option wird benutzt um den
Typ Ihrer DRAM im System zu konfigurieren. ECC ist "Error Checking und Correction",
wenn Ihre Speicher ein ECC-Speicher ist, dann wählen sie die ECC Option.
System BIOS Cacheable:
Sie können zwischen Enabled oder Disabled wählen. Die Standardeinstellung ist Enabled.
Wenn Sie Enabled wählen, ist Caching des System BIOS ROM bei F0000h-FFFFFh
ermöglicht, was zu besserer Systemleistung führt. Wenn ein Programm zu diesem
Speicherbereich schreibt, könnte ein Systemfehler auftreten.
BF6
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