Chipset Features Setup
Auto Configuration
Falls diese Option mit "Enabled" aktiviert wird, dann werden die Optionen "DRAM
Leadoff Timing", "DRAM Read Burst", "DRAM Write Burst Timing", "Fast EDO Lead
off" und "Refresh RAS# Assertion" entsprechend der Einstellung von "DRAM Timing"
automatische eingestellt und können nicht mehr beeinflußt werden..
DRAM Timing
Mit dieser Option wählt man das Zeitverhalten der eingesetzten Speichermodule aus.
Entsprechend werden die folgenden DRAM Read/Write Timing Einstellungen
eingestellt. Diese Option wird nur dann gezeigt, falls "Auto Configuration" aktiv
(Enable) ist.
DRAM Leadoff Timing
Mit dieser Option wird die Anzahl der CPU-Takte gewählt, die vor Ausführung des
DRAM Lese- und Schreibzugriffs erlaubt sein sollen.
DRAM Read Burst (EDO/FP)
Diese Option bestimmt das EDO/FP DRAM Read Burst Timing. Das auszuwählende
Zeitverhalten hängt vom DRAM-Type ab. Die erste Angabe bezieht sich auf eine
Zugriffssequenz bei EDO-Modulen, die zweite Angabe auf Standard Fast Page (FP)
Mode Modulen. Einstellmöglichkeiten sind
x444.
DRAM Write Burst Timing
Diese Option bestimmt das DRAM Write Burst Timing. Einstellbare Werte sind
x4444, x3333
Fast EDO Lead off
Diese Einstellung bestimmt, ob das schnelle Auslesen bei Lesezugriffen von EDO
DRAMs eingeschaltet (Enable) sein soll oder nicht (Disable).
und
x2222.
Mainboard HOT-566 V1.x / 2.x
x222/x333, x333/x444
und
x444/
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