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Chipset Features Setup
Auto Configuration
Wird diese Einstell-Option aktiviert ("Enabled"), dann werden die Punkte 3 bis 7 auf
optimale Werte für 60 ns EDO DRAM Speicher-Module eingestellt.
DRAM Speed Selection
Hier kann das EDO DRAM Schreib/Lese-Timing eingestellt werden, falls "Auto
Configuration" auf "Disabled" steht.
MA Additional Wait State
Falls diese Einstellung aktiviert ist ("Enabled"), wird bei Schreib/Lese-Zugriffen auf das
EDO-DRAM eine zusätzliche Warteschleife zwischen Aktivierung der ersten
Adreßleitung MA und dem CAS/RAS-Signal eingefügt.
EDO RAS To CAS# Delay
Bei den Refresh-Zyklen für das EDO-DRAM werden Zeilen und Spalten jeweils einzeln
adressiert. Mit dieser Einstelloption wird das Timing des Übergangs vom Zeilen-Signal
(RAS) zum Zeilen-Signal (CAS) bestimmt. Mögliche Werte sind 3 und 2.
EDO RAS# Precharge Time
DRAM-Speicher muß kontinuierlich aufgefrischt werden, damit keine Daten verloren
gehen. Normalerweise wird das DRAM vollständig durch einfache Aufrufe aufgefrischt.
Mit dieser Einstell-Option wird die Anzahl CPU-Zyklen bestimmt, die dem Zeilen-Signal
(RAS) zugewiesen werden, um die Ladung zum Auffrischen des DRAMs zu sammeln.
Falls die Einstellung unzureichend gewählt wird, könnte der Auffrischvorgang
unvollständig erfolgen und demzufolge Daten verloren gehen.
Eingestellt wird das DRAM RAS Precharge Timing (Wiederbereitschafts-Zeitverlaufs).
Einstellbar sind 4 und 3 Takt-Zyklen.
HOT-635 Mainboard Seite 30
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