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Technische Daten
Interne technische Daten
Speicherausbau
> interner Speicher RAM
> Speichermodul
EPROM / EEPROM
Bearbeitungszeit
> je Binßroperation
ZyklusÂberwachungszeit
Merker
Zeitglieder: Anzahl/Zeitber. 32; 0,01 ... 9990s
Zßhler: Anzahl/Zßhlber.
Ein> u. Ausgßnge (Onboard):
Digitaleingßnge
Alarmeingang*
Zßhlereingang*
Digitalausgßnge
Externe Peripherie:
Digitalein> u. >ausgßnge > zus. max.
Analogein> u. >ausgßnge > zus. max.
Zulßssige Bausteine:
Organisationsbausteine
Programmbausteine
Funktionsbausteine
Datenbausteine
Befehlsumfang
Stromversorgung (intern)
Eingangsspannung
> Nennwert
> zulßssiger Bereich
Netzfrequenz
> zulßssiger Bereich
Stromaufnahme aus 230 V
fÂr das AG
Einschaltstrom
> bei 230 V AC
> bei 115 V AC
*
auch als Digitaleingang verwendbar
**
alle Eingßnge sind untereinander potentialgebunden
A>2
2K Anweisungen
ca. 2 os
ca. 300 ms
1024, davon 512
remanent
32; dav. 8 remanent
0...999
8
1
1
6
192
16
1, 3, 21, 22,
0 ... 63
0 ... 63
2 ... 63
119
115 V / 230 V AC
93...127 V / 187...253 V
47 ... 63Hz
40 mA
1 A
2 A
Ausgangsspannung
U 1 (fÂr Geber)
U 2 (fÂr PG)
Ausgangsstrom
aus U 1
aus U 2
Kurzschlu˚schutz
Schutzklasse
Potentialtrennung
U1
Potentialtrennung
U2
Pufferbatterie
> Pufferzeit
> Lebensdauer (bei 25∞C)
Verlustleistg. d. Baugruppe typ. 10,5 W
Netzausfall>eberbrÂckung
(bei Vollausbau)
Spezifische Daten Onboard> Peripherie
fÂr Digitaleingßnge:
Potentialtrennung
> in Gruppen zu
Eingangsspannung L+
> Nennwert
> bei Signal ∫0∫
> bei Signal ∫1∫
Eingangsstrom
bei Signal ∫1∫
Verz'gerungszeit
> bei ∫0∫ nach ∫1∫
> bei ∫1∫ nach ∫0∫
Anschlu˚ von
2>Draht>BERO
Ruhestrom
Leitungslßnge ungeschirmt max. 100 m
EWA 4NEB 812 6064>01a
S5>90U
24 V
+5,2 V
e 100 mA
e 100 mA
elektronisch
Klasse I
ja
nein
Li>Batt. (3,4 V /
850 mAh)
min. 1 Jahr
ca. 5 Jahre
f 20 ms
ja **
(Optokoppler)
10
DC 24 V
0...5 V
13V...30V
typ. 8,5 mA
(bei 24 V)
typ. 2,8 ms
typ. 3,6 ms
m'glich
e 1,5 mA
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