Endress+Hauser iTEMP TMT84 Betriebsanleitung Seite 46

Technische Daten
Versorgungsspannung
Antwortzeit
Referenzbedingungen
Auflösung
Messabweichung
!
46
10.0.3 Hilfsenergie
U = 9 bis 32 V DC, polaritätsunabhängig (max. Spannung U
10.0.4 Messgenauigkeit
1 s pro Kanal
• Kalibrationstemperatur: + 25 °C ± 5 K (77 °F ± 9 °F)
• Versorgungsspannung: 24 V DC
• 4-Leiter-Schaltung für Widerstandsabgleich
Auflösung A/D-Wandler = 18 Bit
Hinweis!
Die Angaben zur Messgenauigkeit sind typische Werte und entsprechen einer Standardabweichung
von ± 3σ (Gauß-Verteilung), d. h. 99,8% aller Messwerte erreichen die angegebenen oder bessere
Werte.
Widerstandsthermometer (RTD)
Thermoelemente (TC)
Widerstandsgeber (Ω)
Spannungsgeber (mV)
Sensor-Transmitter-Matching
RTD-Sensoren gehören zu den linearsten Temperaturmesselementen. Dennoch muss der Ausgang
linearisiert werden. Zur signifikanten Verbesserung der Temperaturmessgenauigkeit ermöglicht das
Gerät die Verwendung zweier Methoden:
• Callendar-Van-Dusen-Koeffizienten (Pt100 Widerstandsthermometer)
Die Callendar-Van-Dusen-Gleichung wird beschrieben als:
R
T
Die Koeffizienten A, B und C dienen zur Anpassung von Sensor (Platin) und Messumformer, um
die Genauigkeit des Messsystems zu verbessern. Die Koeffizienten sind für einen Standardsensor
in der IEC 751 angegeben. Wenn kein Standardsensor zur Verfügung steht oder eine höhere
Genauigkeit gefordert ist, können die Koeffizienten für jeden Sensor mit Hilfe der Sensorkalibrie-
rung spezifisch ermittelt werden.
• Linearisierung für Kupfer/Nickel Widerstandsthermometer (RTD)
Die Gleichungen des Polynoms für Nickel werden beschrieben als:
R
T
Bezeichnung
Cu100, Pt100, Ni100, Ni120
Pt500
Cu50, Pt50, Pt1000, Ni1000
Cu10, Pt200
Typ: K, J, T, E, L, U
Typ: N, C, D
Typ: S, B, R
Messbereich
10 bis 400 Ω
10 bis 2000 Ω
-20 bis 100 mV
[
2
= R 1 + AT + BT +
0
[
2
= R 1 + AT + BT +
0
= 35 V)
b
Messabweichung
± 0,1 °C (0,18 °F)
± 0,3 °C (0,54 °F)
± 0,2 °C (0,36 °F)
± 1 °C (1,8 °F)
± typ. 0,25 °C (0,45 °F)
± typ. 0,5 °C (0,9 °F)
± typ. 1,0 °C (1,8 °F)
Messabweichung
± 0,04 Ω
± 0,8 Ω
± 10 μV
( )T ]
3
C T 100 –
( )T ]
3
C T 100 –
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