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3-4. Advanced Chipset Features
DRAM Timing Selectable:
Dieses Element stellt das optimale Timing für die folgenden vier Elemente ein, je nach den von Ihnen
benutzten Speichermodulen. Die Voreinstellung "By SPD" konfiguriert diese vier Elemente , indem sie
den Inhalt im SPD (Serial Presence Detect)-Gerät liest. Der EEPROM auf dem Speichermodul speichert
kritische Parameterinformation zum Modul, wie z. B. such Speichertyp, Größe, Geschwindigkeit,
Spannungsinterface und Modulbänke.
CAS Latency Time:
Dieses Element regelt die Latenz zwischen dem DRAM-Lesebefehl und der Zeit, zu der die Daten
tatsächlich zur Verfügung stehen.
Act to Precharge Delay:
Dieses Element regelt die Anzahl der DRAM-Takte für die DRAM-Parameter.
DRAM RAS# to CAS# Delay
Dieses Element regelt die Latenz zwischen dem aktiven DRAM-Befehl und dem Lese/Schreibbefehl.
DRAM RAS# Precharge:
Dieses Element regelt die Untätigkeitszyklen nach der Ausgabe eines Precharge-Befehls an das DRAM.
System BIOS Cacheable: (nur für IS7-G, IS7, IS7-E und IS7-M)
Wenn auf [Enabled] gestellt, werden Zugriffe auf das System BIOS ROM unter F0000H-FFFFFH
gecacht, wenn der Cache-Controller aktiviert ist. Je größer der Bereich des Cache RAM, desto effizienter
ist das System.
Video BIOS Cacheable:
Wie beim System-BIOS erlaubt die Aktivierung der Video BIOS Cache Zugriff auf das Video BIOS bei
C0000H bis C7FFFH zum Cachen, wenn der Cache-Controller aktiviert ist. Je größer der Bereich des
Cache-RAM, desto schneller die Videoleistung.
IS7 Serie
Kapitel 3
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