Speicher Am Eb 400; Sdram-Interface; Sram-Interface; Flash-Interface - Siemens EB 400 Handbuch

2.2

Speicher am EB 400

Folgende Speichertypen stehen auf dem EB 400 zur Verfügung:
2.2.1

SDRAM-Interface

Das SDRAM-Interface besteht aus 2 Bausteinen des Typs HYP39S25616DT-7.5 von Infineon.

Speichergröße 64 MByte

32-Bit Datenbreite

Taktfrequenz 50 MHz
2.2.2

SRAM-Interface

Das SRAM-Interface besteht aus 2 Bausteinen des Typs KF3216U6M-EF700000 von der Fa. Samsung.

Speichergröße 8 MByte

32-Bit Datenbreite
2.2.3

Flash-Interface

Bei dem Flash-Interface werden zwei unterschiedliche Flashtypen eingesetzt:
1. gesockelter Bootflash

Typ AM29LV040B-90JC von der Fa. AMD

Speichergröße 512 kByte

8-Bit Datenbreite

Laden der Firmware über Programmer möglich

keine Hostanschaltung zum Laden der Firmware notwendig
2. Boot/Anwenderflash

Typ AMD29DL323GB-90EI/Tvon der Fa. AMD

Speichergröße 4 MByte

16-Bit Datenbreite

Programmierung erfolgt über JTAG oder PCI

Vorgesehen für Anwendungen die direkt aus dem Flash arbeiten
2.2.4

NAND-Flash

Als NAND-Flash wird der Baustein des Typs K9F5608UOB-DIBO von der Fa. Samsung eingesetzt.

Speichergröße 32 MByte

8-Bit Datenbreite
Zum Einsatz kommt der NAND-Flash als Filesystem, der im Bereich „EMIF-Peripheral-Bank3" angesprochen
wird. Die Bedienung erfolgt über die Register „NAND_CTRL" und „NAND_STAT". Das Chip-Signal CE des
NAND-Flash wird über das Register „NAND_CTRL" gesteuert, während über das Register „NAND_STAT" das
Ready/Busy-Signal abgefragt werden kann. Die Startadresse und die verwendeten Offsetadressen sind in der
folgenden Tabelle aufgelistet:
Register Adresse
Nand Access 0x3300_0040
Nand CLE Access 0x3300_0044
Nand ALE Access 0x3300_0048
Nand ALE & CLE 0x3300_004C
Access
NAND_CTRL 0x3300_0050
NAND_STAT 0x3300_0054

Tabelle 10: Adressen des NAND-Flashes im Betriebsmodus

Copyright © Siemens AG 2010. All rights reserved.
Änderungen vorbehalten
Reset Bemerkung
NAND_DATA Schreib- oder Lesezugriff auf NAND
NAND_DATA Schreib- oder Lesezugriff auf NAND mit aktivem CLE
NAND_DATA Schreib- oder Lesezugriff auf NAND mit aktivem ALE
NAND_DATA Schreib- oder Lesezugriff auf NAND mit aktivem ALE
und CLE
0b0000_0011 Controlregister für NAND
Bit 0 = 1: Writeprotect NAND nicht aktiv
Bit 0 = 0: Writeprotect NAND aktiv
Bit 1 = 1: CE_N NAND nicht aktiv
Bit 1 = 0: CE_N NAND aktiv
0b0000_0001 Statusregister für NAND:
Bit 0 = 1: NAND bereit
Bit 0 = 0: NAND nicht bereit
19
EB 400 Handbuch
Version 1.2.3