HEIDENHAIN VRZ 760 B Betriebsanleitung Seite 30

8.6.1
Einspeichern über externe
Bedienung
8.6.7
Storage via Extemal Command
8.6.1
Mr5morisation pkr commande
externe
Einspeicherbefehl
Storage command
Einspeicherzeitpunkt /
1
Ordre de memorisation - tl 1 =
fime Point of storage
Memorisation
tatsächl. Einspeichern
Actual storage
Memorisation effective
TxD
I -
Datenausgabe
Data output
tE 2 1.2 us bei Einspeichern Impuls
with store pulse
Sortie des donnees
pour une impulsion de memorisation
tE 2 7 ms bei Einspeichern Kontakt
with store contact
pour un contact de memorisation
tl IO.8 us bei Einspeichern Impuls
with store pulse
pour une impulsion de memorisation
tl $ 4.5 ms bei Einspeichern Kontakt
with store contact
pour un contact de memorisation
t2 5 50 ms
t32 0
t4 L 150 ms
tD = 528 + (Anzahl der Leerzeilen x 11) s
Baudrate
tD = 528 + (number of blank lines x IV s
baud rate
tD = 528 + (nombre d'interligne x 11) s
Taux en Baud
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