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3-4. Advanced Chipset Features
DRAM Timing Selectable:
Dieses Element stellt das optimale Timing für die folgenden vier Elemente ein, je nach den von Ihnen
benutzten Speichermodulen. Die Voreinstellung "By SPD" konfiguriert diese vier Elemente , indem sie
den Inhalt im SPD (Serial Presence Detect)-Gerät liest. Der EEPROM auf dem Speichermodul speichert
kritische Parameterinformation zum Modul, wie z. B. such Speichertyp, Größe, Geschwindigkeit,
Spannungsinterface und Modulbänke.
#
CAS Latency Time:
Dieses Element regelt die Latenz zwischen dem DRAM-Lesebefehl und der Zeit, zu der die Daten
tatsächlich zur Verfügung stehen.
#
DRAM RAS# to CAS# Delay
Dieses Element regelt die Latenz zwischen dem aktiven DRAM-Befehl und dem Lese/Schreibbefehl.
#
DRAM RAS# Precharge:
Dieses Element regelt die Untätigkeitszyklen nach der Ausgabe eines Precharge-Befehls an das DRAM.
#
Precharge Delay (tRAS)
Dieses Element regelt die Anzahl der DRAM-Takte für die DRAM-Parameter.
Memory Hole At 15M-16M:
Wenn auf [Enabled] gestellt, wird die Speicheradresse bei 15M-16M Erweiterungskarten reserviert,
welche diese Einstellung erfordern. Dies macht den Speicher von 15MB aufwärts für das System
unzugänglich. Lassen Sie dieses Element bei seiner Voreinstellung.
GD8 Serie
Kapitel 2
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