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12.1.5 Empfänger/Transceiver Maschinen-Interface, Melde- Und Steuersignale; Empfänger/Transceiver Maschinen-Interface, Sicherheitsbezogene Transistor-Ausgänge - Leuze electronic COMPACT plus-m Betriebsanleitung

Sicherheits-lichtvorhange, mehrstrahl-sicherheits-lichtschranken
Inhaltsverzeichnis

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Technische Daten
12.1.5 Empfänger/Transceiver Maschinen-Interface, Melde- und Steuersignale
M1, M2: Signaleingang
M3, M4: Signaleingang/-ausgang Eingang:
M5: Signaleingang/-ausgang
Tabelle 12.1-5: Empfänger/Transceiver Maschinen-Interface, Melde- und Steuersignale
12.1.6 Empfänger/Transceiver Maschinen-Interface, sicherheitsbezogene
Transistor-Ausgänge
OSSD
Transistor-Ausgänge
Schaltspannung high aktiv (Uv -1V)
Schaltspannung low
Schaltstrom
Leckstrom
Lastkapazität
Lastinduktivität
zulässiger Leitungswiderstand zur Last
zulässiger Leitungsquerschnitt
zulässige Leitungslänge zwischen
Empfänger und Last (bei 1 mm²)
Testimpulsbreite
Testimpulsabstand
OSSD Wiedereinschaltzeit nach
Strahlunterbrechung
OSSD Ansprechzeit
*)
Im Fehlerfall (bei Unterbrechung der 0 V-Leitung) verhalten sich die Ausgänge wie je ein 120 kΩ
Widerstand nach Uv. Eine nachgeschaltete Sicherheits-SPS darf dies nicht als logische „1"
erkennen.
**) Beachten Sie weitere Einschränkungen durch Leitungslänge und Laststrom.
Die sicherheitsbezogenen Transistor-Ausgänge übernehmen die Funkenlöschung. Bei Transis-
tor-Ausgängen ist es deshalb nicht erforderlich, die von Schütz-/Ventilherstellern etc. empfohle-
nen Funklöschglieder (RC-Glieder, Varistoren oder Freilaufdioden) zu verwenden. Diese verlän-
gern die Abfallzeiten induktiver Schaltelemente.
Tabelle 12.1-6: Empfänger/Transceiver Maschinen-Interface, sicherheitsbezogene
108
Transistor-Ausgänge
COMPACTplus-m
Eingang:
Kontakt oder Transistor gegen +24 V DC
Strombelastung: 20 mA max.
Kontakt oder Transistor gegen +24 V DC
Strombelastung: 20 mA max.
Ausgang:
pnp: +24 V DC-schaltend, 60 mA max.
Eingang:
Kontakt oder Transistor gegen +24 V DC
Strombelastung: 20 mA max.
Ausgang:
npn: 0 V schaltend, 1 A max.
2 sicherheitsbezogene pnp-Transistor-
Ausgänge, Querschluss-überwacht, kurz-
schlussfest
minimal
+ 18,2 V
0 V
2 mA
-
1 mm² mit Adernendhülse
-
-
-
-
abhängig von Strahlzahl und MultiScan-Fak-
tor H, siehe Tabellen im Kap. 12.2
typisch
maximal
+ 23 V
+ 28,8 V
0 V
+ 2,5 V
500 mA
650 mA
< 2 µA
200 µA *)
3,3 µF
2,2 H
-
< 1 k **)
1,5 mm²
-
100 m
-
250 µs
-
22 ms
100 ms
Leuze electronic
-

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