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Funktion
Widerstand*** 200 Ω
Kapazität
Testfrequenz:
100 Hz
Induktivität
Testfrequenz:
100 Hz
Temperatur
Frequenz****
Diode
Durchgangsprüfung
Transistortest
* Frequenzbereich: bis 200 V: 40-400 Hz; 750-V-Bereich: 40-100 Hz,
Bereich
Genauigkeit
±0,8% + 5 Digit
2 kΩ
±0,8% + 3 Digit
20 kΩ
200 kΩ
2 MΩ
20 MΩ
±1,0% + 15Digit
2000 MΩ
±5,0% + 20 Digit
20 nF
±2,5% + 20 Digit
200 nF
2 µF
20 µF
200 µF
±5% + 5 Digit
2 mH
±2,5% + 20 Digit
20 mH
200 mH
2 H
20 H
-40...1000°C
±1,0% + 4 D (<400°C) 1°C
±1,5% + 15 D (≥400°C)
2 kHz
±0,5% + 4 Digit
20 kHz
200 kHz
2000 kHz
10 MHz
Testspannung: ca. 3,0 V
Teststrom 1 mA
Signalton bei ≤70±20 Ω
h
: 0....1000, NPN/PNP, I
FE
Auflösung
0,1 Ω
1 Ω
10 Ω
100 Ω
1 kΩ
10 kΩ
1 MΩ
0,01 nF
0,1 n
1 nF
10 nF
100 nF
1 µH
10 µH
100 µH
1 mH
10 mH
1 Hz
10 Hz
100 Hz
1 kHz
10 kHz
ca. 10 µA, V
ca. 3 V
B
cc
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