Inhaltsverzeichnis
Werbung
9.4
,,Einspeichern
Impuls"
und
,,Einspeichern
Kontakt"
Einspeichern
über Pin 12 bzw. Pin 10.
Mit jedem
Einspeichern
wird eine auf
den Einspeicherzeitpunkt
bezogene
Datenausgabe
über die V.24-Schnitt-
stelle ausgelöst.
Der aktuelle
Meßwert
wird über den Datenausgang
ausge-
geben.
Die Laufzeit der 0°/900-Meßsystem-
Signale vom Eingang
bis zum Halteglied
beträgt
ca. 4 usec. Es wird deshalb
ein
Meßsystemsignalzustand
gespeichert,
der ca. 4 us vor dem Einspeicherzeit-
punkt anliegt.
Bei ,,Einspeichern
Impuls"
(Pin 12) wird
mit einer Verzögerung
von tl 5 0.8 us
der aktuelle
Zählerstand
eingespeichert.
Bei ,,Einspeichern
Kontakt"
(Pin 10)
beträgt
die Verzögerung
tI 2 4.5 ms.
9.4.1
Einspeichern
über externe
Bedienung
9.4.1
Storage
via External
Command
9.4
"Stare
Pulse"
and
"Stare
Contact"
(12-Pole
Flange
Socket, Pin 12 or YO)
With evety storage
a data output rela-
tive to the time Point of storage
is out-
put via the RS-232-C
intetiace.
The cur-
rent measured
value is output
via the
data output.
The transit time of the 0°/900
encoder
Signal fiom input to hold element
is
approximately
4 usec. Therefore
an
encoder
Signal state is stored which
was present
approximately
4 ps before
the time Point of storage.
With 'Stare Pulse"
(pin 12) the current
display reading
is stored
with a delay
oft, 5 0.8 ps.
With "Stare Contact"
(pin IO) the delay
is t, 5 4.5 ms.
9.4
"Impulsion
de mkmorisation"
et
"contact
de mkmorisation"
Memorisation
a partir du plot 12 ou 10.
A chaque
memorisation,
les donnees
sont transmises
par I'interface
V.24
apres un delait tz. La Valeur de mesure
est disponible
$I Ia sortie.
Le temps
d'acces
a Ia memoire
de Ia
tote mesuree
6 un instant donne
est
d'env. 4 us. Aussi Ia tote memorisee
5
un instant donnee
correspond-elle
a
celle mesuree
4 us auparavant
S'il y a impulsion
de memorisation
sur
Ie plot 12, Ia Valeur affichee est memori-
sec apres un delai de tl 5 0,8 us.
S'il y a contact
de memorisation
sur Ie
plot 10, Ie delai tr est de d 4,5 ms.
9.4.1
Mkmorisation
par commande
manuelle
Einspeicherbefehl
storage
command
ordre de memorisation
tf= -,
_
Einspeicherzeitpunkt
time Point of storage
memorisation
tatsächl.
Einspeichern
actual storage
memorisation
effective
TxD
Datenausgabe
data output
sortie de donnees
tE L 1.2 us bei Einspeichern
Impuls
tE L 1.2 ,us with store pulse
tE 2 1.2 us pour une impulsion
de memorisation
tE L 7
ms bei Einspeichern
Kontakt
a
tE 2 7
ms with store contact
tE 2 7
ms pour un contact
de memorisation
tI L 0.8 us bei Einspeichern
Impuls
t, 2 0.8 us with store pulse
tI h 0.8 us pour une impulsion
de memorisation
tI L 4.5 ms bei Einspeichern
Kontakt
tl 2 4.5 ms ms with store contact
tI L 4.5 ms pour un contact
de memorisation
t,i5
50 ms
t31
0
t42
150 ms
tD = 528 + (Anzahl
der Leerzeilen
x 11) s
Baudrate
t. = 528 + (number
of blank lines x 11) s
baud rate
tD = 528 + (nombre
d'interlignes
x 11) s
vitesse en Baud
27
Werbung
Inhaltsverzeichnis
