Programmierung Der Speicherkarten (Qnas-Serie) - Mitsubishi Electric MELSEC A-serie Bedienungsanleitung

Speicherkassetten und -karte
5.1.6 Programmierung der Speicherkarten (QnA-Serie)
Die SRAM- und die kombinierten EEPROM/ SRAM-Speicherkarten müssen vor der Program-
mierung formatiert werden. Die Formatierung erfolgt bei eingelegter Speicherkarte mit den ent-
sprechenden Programmiersystemen von Mitsubishi Electric (z.B. GX IEC Developer). Je nach
verwendeter Speicherkarte ändert sich die Speicherkapazität nach der Formatierung wie in der
folgenden Tabelle angegeben.
Speicherkarten
Q1MEM-1MS
Q1MEM-2MS
Q1MEM-256SE 128 (SRAM
Q1MEM-512SE 256 (SRAM
Q1MEM-1MSE
Tab. 5-4: Technische Daten der Speicherkarten
Hardware AnS-/ QnAS-Serie
Speicherkapazität Speicherkapazität
vor der nach der
Formatierung Formatierun
[kByte] [kByte]
1000 (SRAM) 1016,5
2000 (SRAM) 2036
122,5 (SRAM)
128 (EEPROM 123 (EEPROM)
250 (SRAM)
256 (EEPROM 250,5 (EEPROM)
512 (SRAM 505,5 (SRAM)
512 (EEPROM 506 (EEPROM)
Speicherkassetten, -karten und Batterien
Anzahl der Anzahl
EEPROM-Schreib- speicherbarer
operationen Dateien
— 128
— 256
10000 128 (SRAM)
128 (EEPROM)
Anzahl der
Kartenwechsel
5000
5 – 7