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1,8 V für DDR-2-DIMMs. DDR3-Niederspannungs-DIMMs werden bei 1,35 V betrieben. Bei
HP ProLiant Gen8 Servern sind die meisten neuen DDR3-DIMMs Niederspannungs-DIMM, da
HP SmartMemory die gleiche Leistung wie 1,5 V ermöglicht. Dadurch sinkt der DIMM-
Stromverbrauch ohne Leistungseinbußen um bis zu 20 %. Außerdem sind in der Branche UDIMM mit
2 DIMMs pro Kanal bei 1066 MT/s üblich. HP SmartMemory unterstützt 2 DIMMs pro Kanal bei
1333 MT/s, also mit um 25 % größerer Bandbreite.
Architektur des Speichersubsystems
Das Speichersubsystem in diesem Server Blade ist in Kanäle unterteilt. Wie aus der folgenden
Tabelle hervorgeht, unterstützt jeder Prozessor drei Kanäle und jeder Kanal zwei DIMM-Steckplätze.
Die DIMM-Steckplätze in diesem Server werden nach Nummer und nach Buchstabe identifiziert. Die
Buchstaben kennzeichnen die Bestückungsreihenfolge. Die Steckplatznummern geben die ID des
DIMM-Steckplatzes beim Ersatzspeicher-Austausch an.
Kanal
1
2
3
Diese Mehrkanal-Architektur sorgt für eine Leistungsverbesserung im Advanced ECC-Modus.
Informationen über die Position der Steckplatznummern finden Sie im Abschnitt „DIMM-Steckplätze"
(siehe
„DIMM-Steckplatzpositionen" auf Seite
Ein-, zwei- und vierreihige DIMMs
Für ein besseres Verständnis und korrektes Konfigurieren der Speicherschutzmodi ist es hilfreich,
sich mit ein-, zwei- und vierreihigen DIMMs zu befassen. Einige DIMM-
Konfigurationsvoraussetzungen beruhen auf dieser Unterscheidung.
Ein einreihiges DIMM besitzt einen Satz von Speicherchips, auf den beim Schreiben in den oder
Lesen aus dem Speicher zugegriffen wird. Ein zweireihiges DIMM ist mit zwei einreihigen DIMMs auf
dem gleichen Modul zu vergleichen, wobei nur jeweils eine Reihe zugänglich ist. Ein vierreihiges
DIMM ist im Prinzip mit zwei zweireihigen DIMMs auf dem gleichen Modul zu vergleichen. Es ist nur
jeweils eine Reihe zugänglich. Das Speicher-Steuersubsystem des Server Blade wählt beim
Schreiben zum oder Lesen aus dem DIMM die richtige Reihe aus.
Zwei- und vierreihige DIMMs bieten die größte Kapazität mit der bestehenden Speichertechnologie.
Unterstützt die aktuelle DRAM-Technologie beispielsweise einreihige 8-GB-DIMMs, bietet ein
zweireihiges DIMM eine Kapazität von 16 GB und ein vierreihiges DIMM eine Kapazität von 32 GB.
LRDIMMs werden als vierreihige DIMMs bezeichnet; allerdings arbeiten sie eher wie zweireihige
DIMMs. Auf dem DIMM befinden sich vier DRAM-Reihen, der LRDIMM-Puffer generiert jedoch eine
Abstraktion, sodass das System das DIMM als zweireihiges DIMM interpretiert. Der LRDIMM-Puffer
trennt darüber hinaus die elektrische Last des DRAM vom System, um einen schnelleren Betrieb zu
ermöglichen. Durch diese beiden Änderungen kann das System bis zu drei LRDIMMs pro
Speicherkanal unterstützen und im Vergleich zu vierreihigen RDIMMs eine bis zu 50 % höhere
Speicherkapazität sowie eine höhere Speichergeschwindigkeit bereitstellen.
DEWW
Steckplatz-Bezeichnung
A
D
B
E
C
F
6).
Steckplatznummer
1
2
3
4
5
6
Speicheroptionen
29
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