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Achten Sie beim Diodentest darauf, daß die Diode
bzw. die Schaltung, in der sie eventuell eingebaut
ist, unbedingt spannungslos sein muß. Alle vorhan-
denen Kapazitäten müssen entladen sein.
F Transistortest
Der Transistorsockel ist nicht gegen Überlast
geschützt.
Zur Messung der Verstärkung eines Transistors gehen Sie wie folgt
vor:
1. Stellen Sie den Drehschalter auf „hFE".
2. Stecken Sie den zu prüfenden Transistor in den Meßsockel. Ach-
ten Sie dabei auf folgende Punkte:
- beachten Sie die Anschlußfolge (z.B. C-B-E) des Meßobjekts
(stehen in der Transistor-Vergleichstabelle/-Liste).
- Einige Transistortypen beinhalten Basis-Emitterwiderstände,
wodurch die Messung verfälscht werden kann.
- Der hFE-Meßwert ist nicht absolut genau. Er sagt lediglich aus,
ob der Transistor arbeitet oder nicht. Die tatsächliche Verstär-
kung eines Transistors hängt von seinem Arbeitsstrom ab. Die-
ses Multimeter kann einen Basisstrom bis zu 10 uA, bei einer
Uce von 3 V liefern. Der bei der Messung fließende Kollektor-
strom wird erfaßt und daraus der hFE-Wert errechnet.
- Es können keine Transistoren gemessen werden, welche in
eine Schaltung eingebaut sind.
- Sie können mit diesem Multimeter keinen hfe-Wert von FET's
oder anderen unipolaren Transistoren messen.
- Wenn die Anschluß-"Beinchen" der Meßobjekte nicht in den
Sockel passen (zu „dick"), versuchen Sie es nicht mit Gewalt,
denn dadurch kann der Sockel beschädigt werden.
- Die hFE-Messung reagiert auf Temperaturschwankungen.
Sobald Sie den Transistor anfassen und in den Sockel stecken
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f) Commutateur pour les fonctions de mesure = bouton rotatif
Il n'est pas permis de dérégler le bouton rotatif pen-
dant qu'une connexion à l'objet mesuré est établie,
sinon vous risquez d'endommager l'appareil de
mesure ou de vous exposer au danger de mort en
cas de tensions supérieures à 25 VACrms ou 35
VDC.
En tournant le bouton rotatif dans le sens d'une aiguille d'une mon-
tre, les mesures suivantes peuvent être effectuées :
V =
= Tension continue (5 plages)
V ~
= Tension alternative (2 plages)
hFE
= Mesure du paramètre hFE de transistors
-> I-
= Test de diodes et de continuité sonore
°C
= Mesure de températures
A=
= Courant continu (4 plages « de 2000 uA à 10 A »)
OHM = Mesure de résistance (5 plages)
g) « HOLD » (maintenir les valeurs de mesure)
En actionnant la touche « HOLD » se trouvant au-dessous de l'af-
fichage à gauche, la valeur de mesure actuelle est maintenue. Si
vous voulez abandonner cette fonction, appuyez encore une fois
sur la touche « HOLD » et la mesure continue.
h) Affichages à l'écran ou symboles de modes de fonctionnement
h1 Test de diodes
La valeur affichée lors du test de diodes, représente une tensi-
on directe pour un courant de test de 1 mA environ. Dans ce
cas, la plage de mesure va de 0 à 3,0 V environ.
h2 Polarité négative
En cas de câbles de mesure inversés ou de polarité négative, le
caractère « - » est affiché devant la valeur de mesure.
h3 Test de transistors
Lors du test de transistors, le paramètre hFE est mesuré.
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