Chipset Features Setup
DRAM RAS# Precharge Time
Diese Option bestimmt das DRAM RAS Precharge Timing. Mögliche
Einstellungen sind 4 und 3 CLKs.
DRAM R/W Leadoff Timing
Diese Option bestimmt die RAS DRAM Read/Write Leadoff Timings
für page/row miss cycles. Die Einstellungen sind 8/6 und 7/5 CLKs.
DRAM RAS To CAS Delay
Diese Option bestimmt den DRAM RAS to CAS Delay, um die DRAM
page miss und row miss leadoff Timings zu kontrollieren. Mögliche
Einstellungen sind 3 und 2 CLKs.
DRAM Read Burst Timing
Diese Option definiert das DRAM Read Burst Timing. Das Timing
hängt von der Art des DRAMs (Standard oder EDO) ab. Mögliche
Einstellungen sind x4444, x3333 und x2222.
DRAM Write Burst Timing
Diese Option definiert das DRAM Write Burst Timing. Das
Timing hängt von der Art des DRAMs (Standard oder EDO) ab.
Mögliche Einstellungen sind x4444, x3333 und x2222.
58 Benutzerhandbuch