Velleman DVM68N Bedienungsanleitung Seite 33

4.4 Resistencia
Gama
400.0
4.000k
40.00k
400.0k
4.000M
40.00M
Protección de sobrecarga: 250V CC o 150V CA rms
Tensión circuito abierto: ± 250mV
4.5 Diodo
Gama
Tensión CC directa: ± 1mA
Tensión CC inversa: ± 1.5V
Protección de sobrecarga: 250V CC o 150V CA rms
4.6 Continuidad
Gama
Tensión circuito abierto: ± 0.5V
Protección de sobrecarga: 250V CC o 250V CA rms
4.7 Transistor
Gama
hFE
4.8 Capacidad
Gama
4nF
40nF
400nF
4µF
40µF
200µF
Protección de sobrecarga: 250V CC o 250V CA rms
4.9 Frecuencia
Gama
9.999Hz
99.99Hz
DVM68N
Resolución
0.1
1
10
100
1k
10k
Resolución
1mV
Descripción
Visualización aproximativa del
valor hFE (0 ~ 1000) de un
transistor bajo prueba
(cualquier tipo)
Resolución
1pF
10pF
100pF
1nF
10nF
100nF
Resolución
0.001Hz
0.01Hz
Precisión
± (1.2% lectura + 2 dígitos)
± (2.0% lectura + 5 dígitos)
Función
Visualización aproximativa de la
tensión directa de un diodo
Zumbador
≤ 50
Condiciones de prueba
Corriente de base ± 10µ A, Vce ±
2.8V
Precisión
± (5.0% lectura + 5 dígitos)
± (3.0% lectura + 3 dígitos)
Precisión
± (2.0% lectura + 5 dígitos)
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