Siemens SITRANS P500 Kompaktbetriebsanleitung Seite 73
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- Servicehandbuch (58 Seiten)
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Certificados y homologaciones
Temperatura ambiente admisible
Temperatura superficial máx.
Conexión
Inductancia interna efectiva
Capacidad interna efectiva
● Protección contra explosión por polvo
para zona 21/22
Identificación
Conexión
● Tipo de protección antideflagrante "n"
(zona 2)
Identificación
Conexión "nA, ic"
Conexión "nL"
Inductancia interna efectiva
Capacidad interna efectiva
● Protección contra explosión para
EE.UU. (según FM)
● Certificate of Compliance
Identificación (XP/DIP) o bien (IS)
Temperatura ambiente admisible
Parámetros de entidad
Identificación (NI/S)
Temperatura ambiente admisible
Parámetros NI/S
● Protección contra explosión para
Canadá (según
CSA
C
● Certificate of Compliance
Identificación (XP/DIP)
SITRANS P500 con HART
A5E02344532-02, 09/2010
-40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
120 °C (248 °F)
A circuito de seguridad intrínseca certificado con los valores máximos:
U
= 30 V, I
i
P
= 750 mW, R
i
L
= 400 μH
i
C
= 6 nF
i
BVS 09 ATEX E 027
II 2 D Ex tD A21 IP68 T 120 °C Ex ia D21
A circuito con valores de servicio:
U
= 10,5 V CC ... 45 V CC; P
m
PTB 09 ATEX 2004 X
II 3 G Ex nA II T4/T6;
II 2/3 G Ex ib/nL IIC T4/T6;
II 2/3 G Ex ib/ic IIC T4/T6
U
= 45 V DC
m
U
= 45 V
i
L
= 400 μH
i
C
= 6 nF
i
N.º 3033013
XP CL I, DIV 1, GP ABCD T4/T6;
DIP CL II, III, DIV 1, GP EFG T4/T6;
IS CL I, II, III, DIV 1, GP ABCDEFG T4
CL I, Zona 0, AEx ia IIC T4;
CL I, Zone 1, AEX ib IIC T4
T
= T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
T
= T6: -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
a
Según "control drawing":
U
= 30 V, I
m
P
= 750 mW, L
i
NI CL I, DIV 2, GP ABCD T4/T6;
NI CL I, Zona 2, GP IIC T4/T6;
S CL II, III, GP FG T4/T6;
NI CL I, DIV 2, GP ABCD T4/T6, NIFW;
NI CL I, Zona 2, GP IIC T4/T6, NIFW
NI CL II, III, DIV 2, GP FG T4/T6, NIFW
T
= T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
T
= T6: -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
a
Según "control drawing":
Um = 45 V, Li = 400 μH, C
)
US
N.º 2280963
CL I, DIV 1, GP ABCD T4 /T6;
CL II, DIV 1, GP EFG T4/T6
= 100 mA,
i
= 300 Ω
i
= 1,2 W
max
= 100 mA,
m
= 400 μH, C
= 6 nF
i
i
= 6 nF
i
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