Siemens SITRANS P500 Kompaktbetriebsanleitung Seite 37

Certificats et homologations
Température ambiante admissible
Température de surface max.
Raccord
Inductance intérieure efficace
Capacité intérieure efficace
● Protection contre les coups de
poussière pour zone 21/22
Identification
Raccord
● Mode de protection du matériel pour
atmosphère explosible "n" (zone 2)
Identification
Raccord "nA, ic"
Raccord "nL"
Inductance intérieure efficace
Capacité intérieure efficace
● Protection contre les explosions aux
Etats-Unis (conformément aux normes
FM)
● Certificate of Compliance
Identification (XP/DIP) ou (IS)
Température ambiante admissible
Entity parameters
Identification (NI/S)
Température ambiante admissible
NI/S parameters
● Protection contre l'explosion au
Canada (selon CSA
C
● Certificate of Compliance
Identification (XP/DIP)
SITRANS P500 avec HART
A5E02344532-02, 09/2010
-40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
120 °C (248 °F)
Sur circuit à sécurité intrinsèque certifié avec les valeurs maximales :
U = 30 V, I
i
P = 750 mW, R
i
L = 400 μH
i
C = 6 nF
i
BVS 09 ATEX E 027
II 2 D Ex tD A21 IP68 T 120 °C Ex ia D21
Sur circuit avec les valeurs de fonctionnement :
U = CC 10,5 ... 45 V ; P
m
PTB 09 ATEX 2004 X
II 3 G Ex nA II T4/T6 ;
II 2/3 G Ex ib/nL IIC T4/T6 ;
II 2/3 G Ex ib/ic IIC T4/T6
U = 45 V DC
m
U = 45 V
i
L = 400 μH
i
C = 6 nF
i
No. 3033013
XP CL I, DIV 1, GP ABCD T4/T6 ;
DIP CL II, III, DIV 1, GP EFG T4/T6 ;
IS CL I, II, III, DIV 1, GP ABCDEFG T4
CL I, Zone 0, AEx ia IIC T4 ;
CL I, Zone 1, AEX ib IIC T4
T = T4 : -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
T = T6 : -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
a
Selon "control drawing" :
U = 30 V, I
m
P = 750 mW, L
i
NI CL I, DIV 2, GP ABCD T4/T6 ;
NI CL I, Zone 2, GP IIC T4/T6 ;
S CL II, III, GP FG T4/T6 ;
NI CL I, DIV 2, GP ABCD T4/T6, NIFW ;
NI CL I, Zone 2, GP IIC T4/T6, NIFW
NI CL II, III, DIV 2, GP FG T4/T6, NIFW
T = T4 : -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
T = T6 : -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
a
Selon "control drawing" :
Um = 45 V, Li = 400 μH, C
)
US
No. 2280963
CL I, DIV 1, GP ABCD T4 /T6 ;
CL II, DIV 1, GP EFG T4/T6
= 100 mA,
i
= 300 Ω
i
= 1,2 W
max
= 100 mA,
m
= 400 μH, C = 6 nF
i i
= 6 nF
i
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