Technical Specifications - AXTON A1300 Einbau- Und Bedienungsanleitung

6. TECHNICAL SPECIFICATIONS

A1300
TECHNICAL SPECIFICATIONS
MONO AMPLIFIER
300 W RMS x 1 @ 4 ohms (< 0.5% THD / 13.8V)
470 W RMS x 1 @ 2 ohms (< 0.5% THD / 13.8V)
BJT amplification circuitry with MOS-FET power supply
Integrated variable lowpass filter: 50 – 250 Hz with 12 dB/oct.
Integrated variable subsonic filter: 15 – 50 Hz with 12 dB/oct.
Variable input sensitivity: 0.2 – 7.5 V
Damping factor @ 4 ohms: > 300
Signal to noise ratio: > 92 dB/A
Bass level remote control
Dimensions WxHxD: 136 x 55 x 310 mm
A250
TECHNICAL SPECIFICATIONS
2-CHANNEL AMPLIFIER
57 W RMS x 2 @ 4 ohms (< 0.5% THD / 13.8V)
85 W RMS x 2 @ 2 ohms (< 0.5% THD / 13.8V)
BJT amplification circuitry with MOS-FET power supply
Integrated variable highpass filter: 30 – 250 Hz with 12 dB/oct.
Integrated variable lowpass filter: 30 – 250 Hz with 12 dB/oct.
Variable input sensitivity: 0.2 – 7.5 V
Damping factor @ 4 ohms: > 150
Signal to noise ratio: > 90 dB/A
Channel separation @ 1 kHz: > 55 dB
Dimensions WxHxD: 136 x 55 x 190 mm
A295
TECHNICAL SPECIFICATIONS
2-CHANNEL AMPLIFIER
105 W RMS x 2 @ 4 ohms (< 0.5% THD / 13.8V)
155 W RMS x 2 @ 4 ohms (< 0.5% THD / 13.8V)
BJT amplification circuitry with MOS-FET power supply
Integrated variable highpass filter: 30 – 250 Hz with 12 dB/oct.
Integrated variable lowpass filter: 30 – 250 Hz with 12 dB/oct.
Variable input sensitivity: 0.2 – 7.5 V
Damping factor @ 4 ohms: > 150
Signal to noise ratio: > 100 dB/A
Channel separation @ 1 kHz: > 55 dB
Dimensions WxHxD: 136 x 55 x 250 mm
TECHNISCHE SPEZIFIKATIONEN
EN
MONO VERSTÄRKER
300 W RMS x 1 @ 4 Ohm (< 0.5% THD / 13.8V)
470 W RMS x 1 @ 2 Ohm (< 0.5% THD / 13.8V)
BJT Endverstärker Schaltung mit MOS-FET Netzteil
Aktivweiche mit variablem Tiefpass: 50 – 250 Hz mit 12 dB/oct.
Aktivweiche mit variablem Subsonic: 15 – 50 Hz mit 12 dB/oct.
Variable Eingangs-Empfindlichkeit von 0.2 – 7.5 V
Dämpfungsfaktor an 4 Ohm: > 300
Signal-Rauschabstand: > 92 dB/A
Basspegel-Fernbedienung
Dimensionen BxHxT: 136 x 55 x 310 mm
TECHNISCHE SPEZIFIKATIONEN
EN
2-KANAL VERSTÄRKER
57 W RMS x 2 @ 4 Ohm (< 0.5% THD / 13.8V)
85 W RMS x 2 @ 2 Ohm (< 0.5% THD / 13.8V)
BJT Endverstärker Schaltung mit MOS-FET Netzteil
Aktivweiche mit variablem Hochpass: 30 – 250 Hz mit 12 dB/oct.
Aktivweiche mit variablem Tiefpass: 30 – 250 Hz mit 12 dB/oct.
Variable Eingangs-Empfindlichkeit von 0.2 – 7.5 V
Dämpfungsfaktor an 4 Ohm: > 150
Signal-Rauschabstand: > 90 dB/A
Kanaltrennung @ 1 kHz: > 55 dB
Dimensionen BxHxT: 136 x 55 x 190 mm
TECHNISCHE SPEZIFIKATIONEN
EN
2-KANAL VERSTÄRKER
105 W RMS x 2 @ 4 Ohm (< 0.5% THD / 13.8V)
155 W RMS x 2 @ 2 Ohm (< 0.5% THD / 13.8V)
BJT Endverstärker-Schaltung mit MOS-FET Netzteil
Aktivweiche mit variablem Hochpass: 30 – 250 Hz mit 12 dB/oct.
Aktivweiche mit variablem Tiefpass: 30 – 250 Hz mit 12 dB/oct.
Variable Eingangs-Empfindlichkeit von 0.2 – 7.5 V
Dämpfungsfaktor an 4 Ohm: > 150
Signal-Rauschabstand: > 100 dB/A
Kanaltrennung @ 1 kHz: > 55 dB
Dimensionen BxHxT: 136 x 55 x 250 mm
– 32 –
A460
TECHNICAL SPECIFICATIONS
DE
4-CHANNEL AMPLIFIER
60 W RMS x 4 @ 4 ohms (< 0.5% THD / 13.8V)
80 W RMS x 4 @ 2 ohms (< 0.5% THD / 13.8V)
BJT amplification circuitry with MOS-FET power supply
Integrated variable highpass filter: 30 – 250 Hz with 12 dB/oct.
Integrated variable lowpass filter: 30 – 250 Hz with 12 dB/oct.
Variable input sensitivity: 0.2 – 7.5 V
Damping factor @ 4 ohms: > 200
Signal to noise ratio: > 90 dB/A
Channel separation @ 1 kHz: > 47 dB
Dimensions WxHxD: 136 x 55 x 250 mm
A480
TECHNICAL SPECIFICATIONS
DE
4-CHANNEL AMPLIFIER
85 W RMS x 4 @ 4 ohms (< 0.5% THD / 13.8V)
130 W RMS x 4 @ 2 ohms (< 0.5% THD / 13.8V)
BJT amplification circuitry with MOS-FET power supply
Integrated variable highpass filter: 30 – 250 Hz with 12 dB/oct.
Integrated variable lowpass filter: 30 – 250 Hz with 12 dB/oct.
Variable input sensitivity: 0.2 – 7.5 V
Damping factor @ 4 ohms: > 200
Signal to noise ratio: > 90 dB/A
Channel separation @ 1 kHz: > 44 dB
Dimensions WxHxD: 136 x 55 x 310 mm
DE
TECHNISCHE SPEZIFIKATIONEN
EN
4-KANAL VERSTÄRKER
60 W RMS x 4 @ 4 Ohm (< 0.5% THD / 13.8V)
80 W RMS x 4 @ 2 Ohm (< 0.5% THD / 13.8V)
BJT Endverstärker Schaltung mit MOS-FET Netzteil
Aktivweiche mit variablem Hochpass: 30 – 250 Hz mit 12 dB/oct.
Aktivweiche mit variablem Tiefpass: 30 – 250 Hz mit 12 dB/oct.
Variable Eingangs-Empfindlichkeit von 0.2 – 7.5 V
Dämpfungsfaktor an 4 Ohm: > 200
Signal-Rauschabstand: > 90 dB/A
Kanaltrennung @ 1 kHz: > 47 dB
Dimensionen BxHxT: 136 x 55 x 250 mm
TECHNISCHE SPEZIFIKATIONEN
EN
4-KANAL VERSTÄRKER
85 W RMS x 4 @ 4 Ohm (< 0.5% THD / 13.8V)
130 W RMS x 4 @ 2 Ohm (< 0.5% THD / 13.8V)
BJT Endverstärker Schaltung mit MOS-FET Netzteil
Aktivweiche mit variablem Hochpass: 30 – 250 Hz mit 12 dB/oct.
Aktivweiche mit variablem Tiefpass: 30 – 250 Hz mit 12 dB/oct.
Variable Eingangs-Empfindlichkeit von 0.2 – 7.5 V
Dämpfungsfaktor an 4 Ohm: > 200
Signal-Rauschabstand: > 90 dB/A
Kanaltrennung @ 1 kHz: > 44 dB
Dimensionen BxHxT: 136 x 55 x 310 mm
– 33 –
DE
DE