Technische Daten
11 Technische Daten
11.1 Eingangs- und Ausgangskenngrößen
Gemessene
Eingangskenngröße
Ausgangssignal
Wellenlängen
11.2 Umgebungsbedingungen
Umgebungstemperatur
Lagerungstemperatur
Relative Feuchte
Schutzart
11.3 Prozessbedingungen
Prozesstemperatur
Prozessdruck
11.4 Konstruktiver Aufbau
Abmessungen
Gewicht
Werkstoffe
Lichtquelle
Lebensdauer Lampe
Detektoren
Filter
32
Prozessabsorption und optische Dichte
Photodetektorstrom (100pA ~ 1uA)
Breitband, NIR (780 nm+), 400 nm, 420 nm, 430 nm, 540 nm, 950 nm,
und 1134 nm
0 bis 55 °C (32 bis 131 °F)
-20 bis 70 °C (-4 bis 158 °F)
5 bis 95 %
IP 65 (NEMA 4) für alle optischen Teile
0 bis 90 °C (32 bis 194 °F) kontinuierlich
max. 130 °C (266 °F) während 2 Stunden
bis zu 100 bar (1450 psi) je nach Werkstoff, Leitungsgröße und
Prozessanschluss der Durchflussarmatur
Siehe Kapitel "Montage".
1,225 kg (ohne Durchflusszelle)
Sensorgehäuse: nicht rostender Stahl 316L
Hochlumineszenzlampe (Wellenlängenfilter 450 nm und mehr)
Gasgefüllte Hochleistungslampe (Wellenlängenfilter unter 450 nm)
Kollimierte Glühlampe (erweiterte Auflösung)
Standardlampe
typ. 10.000 Stunden
Silikondetektoren, hermetisch abgedichtet
Mehrlagiger Schmalband-Interferenzfilter
OUSAF12
Endress+Hauser