Siemens SITRANS P500 Kompaktbetriebsanleitung Seite 95

Certificats et homologations
Entity parameters
Identification (NI/S)
Température ambiante admissible
NI/S parameters
● Protection contre l'explosion au
Canada (selon CSA
C
● Certificate of Compliance
Identification (XP/DIP)
Température ambiante admissible
Entity parameters (XP/DIP)
Identification (ia/ib)
Température ambiante admissible
Entity parameters
Identification (NI/n
Température ambiante admissible
NI/nA parameters
nL parameters
● Protection contre les explosions pour
la Chine (conformément à la
réglementation NEPSI)
● Certificate of Compliance for Ex i
Identification
Température ambiante admissible
Entity parameters (XP/DIP)
SITRANS P500 avec HART
A5E02344532-03, 04/2013
Selon "control drawing" :
U = 30 V, I
m
P = 750 mW, L
i
NI CL I, DIV 2, GP ABCD T4/T6 ;
NI CL I, Zone 2, GP IIC T4/T6 ;
S CL II, III, GP FG T4/T6 ;
NI CL I, DIV 2, GP ABCD T4/T6, NIFW ;
NI CL I, Zone 2, GP IIC T4/T6, NIFW
NI CL II, III, DIV 2, GP FG T4/T6, NIFW
T = T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
T = T6: -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
a
Selon "control drawing" :
Um = 45 V, Li = 400 μH, C
)
US
No. 2280963
CL I, DIV 1, GP ABCD T4 /T6 ;
CL II, DIV 1, GP EFG T4/T6
T = T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
T = T6: -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
a
Selon "control drawing" :
V
max
CL I, Ex ia/Ex ib IIC, T4 ;
CL II, III, Ex ia/Ex ib, GP EFG, T4 ;
CL I, AEx ia/AEx ib IIC, T4 ;
CL II, III, AEx ia/ AEx ib, GP EFG, T4
T = T4 : -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
U = 30 V, I
i
R = 300 Ω, L
i
CL I, DIV 2, GP ABCD T4/T6 ;
CL II, III, DIV 2, GP FG T4/T6 ;
Ex nA IIC T4/T6 ;
AEx nA IIC T4/T6 ;
Ex nL IIC T4/T6 ;
AEx nL IIC T4/T6
Ta = T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
Ta = T6: -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
Selon "control drawing" :
U = 45 V
m
Selon "control drawing" :
U = 45 V, I
i
L = 400 μH, C
i
GYJ111111X
Ex ia/ib IIB/IIC T4
-40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
Sur circuits certifiés sécurité intrinsèque de valeurs max. :
U = 30 V, I
i
P = 750 mW
i
= 100 mA,
m
= 400 μH, C
i i
= 6 nF
i
= 45 V
= 100 mA, P = 750 mW,
i i
= 400 μH, C = 6 nF
i i
= 100 mA,
i
= 6 nF
i
= 100 mA
i
= 6 nF
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