Datos Técnicos - Wieland SP-SDI Gebrauchsanleitung

6 Datos técnicos
6.1 Datos técnicos SP-SDIO
Categoría Categoría 4 (EN ISO 13849-1)
Nivel de integridad de SIL3 (IEC 61508)
seguridad
Performance Level (PL) PL e (EN ISO 13849-1)
Vida útil TM 20 años
Temperatura ambiente durante –25 °C ... +65 °C
el servicio
Temperatura de –40 °C ... +70 °C
almacenamiento
Humedad del aire 10 % ... 95 %, no condensada
Condiciones climáticas según EN 61131-2 (55 °C, 95 % H. r.)
Resistencia a vibraciones 5 Hz ... 500 Hz, probado según
EN 61131-2
Clase de protección según Caja: IP40
EN/IEC 60529 Bornes: IP20
Compatibilidad clase A (EN 61131-2, EN 61000-6-2, EN 55011)
electromagnética
Clase de protección III
Conexión del sistema Conexión de bornes
Consumo de potencia a través Máx. 1,1 W
del S-BUS+ sin corrientes
en X1 ... X2
Dimensiones (An x Al x F) 22,5 x 93,7 x 120,8 mm
Peso 180 g
Datos relativos a los bornes y a Bornes roscados
la conexión
Unifilar o de hilo fino 1 × 0,2–2,5 mm² /
2 × 0,2–1,0 mm²
De hilo fino con virola de cable 1 × 0,25–2,5 mm² /
según DIN 46228 2 × 0,25–1,0 mm²
AWG 26–14
Par de apriete máximo 0,5–0,6 Nm (4–5 lbf in)
Longitud de pelado max. 7 mm
Fuente de alimentación (A1, A2)
Tensión de alimentación 24 V CC (16,8 ... 30 V CC)
Tipo de tensión de alimentación MBTP o MBTS
Consumo de potencia Máx. 120 W, en función de la carga
de las salidas Q1 a Q4
Tiempo de conexión Máx. 18 s
Protección contra cortocircuito 4A gG (con característica de disparo B o C)
Circuito de entrada (I1 ... I8)
Tensión de entrada HIGH 13 V CC ... 30 V CC
Tensión de entrada LOW –5 V CC ... +5 V CC
Corriente de entrada HIGH 2,4 mA ... 3,8 mA
Corriente de entrada LOW –2,5 mA ... 2,1 mA
Tiempo de discrepancia 4 ms ... 30 s, configurable
Número de entradas 8
Salidas de control (X1 ... X2)
Número de salidas 2 (con 2 generadores de impulso de prueba)
Tipo de salida Semiconductor PNP, no orientado a fines de
seguridad, resistente a los cortocircuitos, con
control de cortocircuitos transversales
Tensión de salida 15,6 V CC ... 30 V CC
Corriente de salida máx. 120 mA en una salida de prueba
Frecuencia del impulso de 1 Hz ... 25 Hz, configurable
prueba
Duración del impulso de prueba 1 ms ... 100 ms, configurable
Capacidad de carga 1 µF para la duración del impulso de prueba 4 ms
0,5 µF para la duración del impulso de prueba 1
ms
Resistencia de línea < 100 Ω
Salidas de seguridad (Q1 ... Q4)
Número de salidas 4
Tipo de salida Semiconductor PNP, orientado a fines de
seguridad, resistente a los cortocircuitos, con
control de cortocircuitos transversales
Tensión de salida 24 V CC (16,8 V CC ... 30 V CC)
Corriente de salida 4 A
Intensidad residual I
Ver diagrama 1
sum
Duración del impulso de prueba <0,65 ms
Frecuencia del impulso de 5 Hz
prueba
Capacidad de carga 0,5 µF
Longitud de la línea 100 m, 1,5 mm
Tiempo de reacción Depende de la lógica configurada
Interfaz de datos Bus trasero (S-BUS+)
20 20
20 20
Bornes a resorte
1 × 0,2–1,5 mm²
1 × 0,25–1,5 mm²
(crimpado trapezoidal)
24–16
—
2
Datos técnicos SP-SDI
Categoría
Nivel de integridad de seguridad SIL3 (IEC 61508)
Performance Level (PL)
Vida útil TM
Temperatura ambiente durante
el servicio
Temperatura de almacenamiento –40 °C ... +70 °C
Humedad del aire
Condiciones climáticas
Resistencia a vibraciones
Clase de protección según
EN/IEC 60529
Compatibilidad
electromagnética
Clase de protección
Conexión del sistema
Consumo de potencia a través del
S-BUS+ sin corrientes en X1 ... X8
Dimensiones (An x Al x F)
Peso
Datos relativos a los bornes y a la
conexión
Unifilar o de hilo fino
De hilo fino con virola de cable
según DIN 46228
AWG
Par de apriete máximo
Longitud de pelado
Circuito de entrada (I1 ... I8)
Tensión de entrada HIGH
Tensión de entrada LOW
Corriente de entrada HIGH
Corriente de entrada LOW
Tiempo de discrepancia
Número de entradas
Salidas de control (X1 ... X8)
Número de salidas
Tipo de salida
Tensión de salida
Corriente de salida
Frecuencia del impulso de prueba 1 Hz ... 25 Hz, configurable
Capacidad de carga
Resistencia de línea
Σ I [A]
Qn
4
3,5
3
2,5
-20 0 20
Diag r am a 1
7 Homologaciones
TÜV
UL: UL no ha comprobado las funciones de seguridad.
La homologación se ha efectuado de conformidad con los
requisitos para aplicaciones generales de la UL508.
Categoría 4 (EN ISO 13849-1)
PL e (EN ISO 13849-1)
20 años
–25 °C ... +65 °C
10 % ... 95 %, no condensada
según EN 61131-2 (55 °C, 95 % H. r.)
5 Hz ... 500 Hz, probado según EN 61131-2
Caja: IP40
Bornes: IP20
clase A (EN 61131-2, EN 61000-6-2, EN 55011)
III
Conexión de bornes
Máx. 1,4 W
22,5 x 93,7 x 120,8 mm
150 g
Bornes roscados Bornes a resorte
1 × 0,2–2,5 mm² / 1 × 0,2–1,5 mm²
2 × 0,2–1,0 mm²
1 × 0,25–2,5 mm² / 1 × 0,25–1,5 mm²
2 × 0,25–1,0 mm² (crimpado trapezoidal)
26–14 24–16
0,5–0,6 Nm (4–5 lbf in)
max. 7 mm
13 V CC ... 30 V CC
–5 V CC ... +5 V CC
2,4 mA ... 3,8 mA
–2,5 mA ... 2,1 mA
4 ms ... 30 s, configurable
8
8 (con 2 generadores de impulso de prueba)
Semiconductor PNP, no orientado a fines de
seguridad, resistente a los cortocircuitos, con
control de cortocircuitos transversales
16 V CC ... 30 V CC
Máx. 120 mA en cada generador de señales de
prueba
1 F para la duración del impulso de prueba 4 ms
0,5 µF para la duración del impulso de prueba 1
ms
< 100 Ω
T
U max
40 60
—
= 65°C