Caractéristiques Techniques - Wieland SP-SDI Gebrauchsanleitung

6 Caractéristiques techniques
6.1 Caractéristiques techniques SP-SDIO
Catégorie Catégorie 4 (EN ISO 13849-1)
Niveau d'intégrité de sécurité SIL3 (CEI 61508)
Niveau de performance PL e (EN ISO 13849-1)
Durée d'utilisation TM 20 ans
Température ambiante en –25 °C à +65 °C
fonctionnement
Température de stockage –40 °C à +70 °C
Humidité de l'air 10 % à 95 %, sans condensation
Conditions climatiques selon EN 61131-2 (55 °C, 95 % h. r.)
Résistance aux efforts alternés 5 Hz à 500 Hz, contrôlé selon
EN 61131-2
Indice de protection conforme Boîtier : IP40
à la norme EN/CEI 60529 Bornes : IP20
Compatibilité Classe A (EN 61131-2,
électromagnétique EN 61000-6-2, EN 55011)
Classe de protection III
Raccordement du système Raccordement des bornes
Puissance absorbée par Max. 1,1 W
S-BUS+ sans courants au
niveau de X1 à X2
Dimensions (lxHxP) 22,5 x 93,7 x 120,8 mm
Poids 180 g
Données relatives aux bornes bornes à vis
et au raccordement
Unifilaire ou de faible diamètre 1 × 0,2–2,5 mm² /
2 × 0,2–1,0 mm²
Faible diamètre avec embout 1 × 0,25–2,5 mm² /
Selon DIN 46228 2 × 0,25–1,0 mm²
AWG 26–14
Couple de rotation maximal 0,5–0,6 Nm (4–5 lbf in) —
Longueur de dénudage max. 7 mm
Bloc d'alimentation (A1, A2)
Tension d'alimentation 24 V CC (16,8 à 30 V CC)
Type de tension d'alimentation TBTS
Puissance absorbée Max. 120 W, déterminé par la charge au niveau
des sorties Q1 à Q4
Temps de mise en route Max. 18 s
Protection contre les 4A gG (avec caractéristique de déclenchement
courts-circuits B ou C)
Circuit d'entrée (I1 à I8)
Tension d'entrée HIGH 13 V CC à 30 V CC
Tension d'entrée LOW –5 V CC à +5 V CC
Courant d'entrée HIGH 2,4 mA à 3,8 mA
Courant d'entrée LOW –2,5 mA à 2,1 mA
Écart de temps de commutation 4 ms à 30 s, configurable
Nombre d'entrées 8
Sorties de commande (X1 à X2)
Nombre de sorties 2 (avec 2 générateurs d'impulsion d'essai)
Type de sortie Semi-conducteur PNP, non orienté vers la
sécurité, résistant aux courts-circuits, avec
surveillance des courts-circuits transversaux
Tension de sortie 15,6 V CC à 30 V CC
Courant de sortie max. 120 mA à une sortie de test
Taux d'impulsion d'essai 1 Hz à 25 Hz, configurable
Durée d'impulsion d'essai 1 ms à 100 ms, configurable
Capacité de charge 1 µF pour une durée d'impulsion d'essai 4 ms
0,5 µF pour une durée d'impulsion d'essai de 1 ms
Résistance de ligne < 100 Ω
Sorties de sécurité (Q1 à Q4)
Nombre de sorties 4
Type de sortie Semi-conducteur PNP, orienté vers la sécurité,
résistant aux courts-circuits, avec surveillance
des courts-circuits transversaux
Tension de sortie 24 V CC (16,8 V CC à 30 V CC)
Courant de sortie 4 A
Courant cumulé I Voir diagramme 1
sum
Largeur d'impulsion d'essai <0,65 ms
Taux d'impulsion d'essai 5 Hz
Capacité de charge 0,5 µF
Longueur de ligne 100 m, 1,5 mm
Temps de réponse Dépend de la construction logique
Interface de données Bus de fond de panier (S-BUS+)
12 12
12 12
bornes à ressorts
1 × 0,2–1,5 mm²
1 × 0,25–1,5 mm²
(sertissage trapézoïd)
24–16
2
6.2 Caractéristiques techniques SP-SDI
Catégorie
Niveau d'intégrité de sécurité
Niveau de performance
Durée d'utilisation TM
Température ambiante en
fonctionnement
Température de stockage
Humidité de l'air
Conditions climatiques
Résistance aux efforts alternés
Indice de protection conforme
à la norme EN/CEI 60529
Compatibilité
électromagnétique
Classe de protection
Raccordement du système
Puissance absorbée par S-BUS+
sans courants au niveau de X1 à X8
Dimensions (lxHxP)
Poids
Données relatives aux bornes
et au raccordement
Unifilaire ou de faible diamètre
Faible diamètre avec embout
Selon DIN 46228
AWG
Couple de rotation maximal
Longueur de dénudage
Circuit d'entrée (I1 à I8)
Tension d'entrée HIGH
Tension d'entrée LOW
Courant d'entrée HIGH
Courant d'entrée LOW
Écart de temps de commutation 4 ms à 30 s, configurable
Nombre d'entrées
Sorties de commande (X1 à X8)
Nombre de sorties
Type de sortie
Tension de sortie
Courant de sortie
Taux d'impulsion d'essai
Capacité de charge
Résistance de ligne
Σ I [A]
Qn
4
3,5
3
2,5
-20 0 20
Diag r am m e 1
7 Homologations
TÜV
UL : Les fonctions de sécurité n'ont pas été contrôlées par
la norme UL. L'homologation est réalisée selon les exigences
relatives aux applications générales de la norme UL508.
Catégorie 4 (EN ISO 13849-1)
SIL3 (CEI 61508)
PL e (EN ISO 13849-1)
20 ans
–25 °C à +65 °C
–40 °C à +70 °C
10 % à 95 %, sans condensation
selon EN 61131-2 (55 °C, 95 % h. r.)
5 Hz à 500 Hz, contrôlé selon EN 61131-2
Boîtier : IP40
Bornes : IP20
Classe A (EN 61131-2,
EN 61000-6-2, EN 55011)
III
Raccordement des bornes
Max. 1,4 W
22,5 x 93,7 x 120,8 mm
150 g
bornes à vis bornes à ressorts
1 × 0,2–2,5 mm² / 1 × 0,2–1,5 mm²
2 × 0,2–1,0 mm²
1 × 0,25–2,5 mm² / 1 × 0,25–1,5 mm²
2 × 0,25–1,0 mm² (sertissage trapézoïd)
26–14 24–16
0,5–0,6 Nm (4–5 lbf in) —
max. 7 mm
13 V CC à 30 V CC
–5 V CC à +5 V CC
2,4 mA à 3,8 mA
–2,5 mA à 2,1 mA
8
8 (avec 2 générateurs d'impulsion d'essai)
Semi-conducteur PNP, non orienté vers la
sécurité, résistant aux courts-circuits, avec
surveillance des courts-circuits transversaux
16 V CC à 30 V CC
Max. 120 mA à chaque générateur de signaux
d'essai
1 Hz à 25 Hz, configurable
1 µF pour une durée d'impulsion d'essai 4 ms
0,5 µF pour une durée d'impulsion d'essai de
1 ms
< 100 Ω
T
U max
40 60
= 65°C