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Technische Spezifikationen; Technische Merkmale; Sicherheits-Prüffunktionen - HT SIRIUS 89N Anwenderhandbuch

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HT-Instruments
14.

TECHNISCHE SPEZIFIKATIONEN

14.1.

TECHNISCHE MERKMALE

Die Genauigkeit wird angegeben als [% der Anzeige + Anzahl von Ziffern]. Sie bezieht
sich auf folgende atmosphärische Bedingungen: eine Temperatur von 23°C ± 5°C mit
einer relativen Feuchtigkeit < 60%.
14.1.1. Sicherheits-Prüffunktionen
LOWΩ: 200mA DURCHGANGSPRÜFUNG (AUTO, RT+, RT- Modus)
Bereich [Ω]
0.01 ÷ 9.99
10.0 ÷ 99.9
(*) Nach Prüfschnurkalibration
Prüfstrom
Auflösung für Prüfstrom:
Leerlauf- Spannung
MΩ: ISOLATIONSPRÜFUNG
Prüf- Spannung
[V]
50
100
250
500
1000
Leerlauf- Prüf-Spannung
Kurzschlussstrom
Nominal Prüfstrom
500V
andere
RCD: PRÜFUNG AN RCD EINRICHTUNGEN
Nenn-Prüfstrom (IΔN)
RCD type
Phase zu Erde Prüf-Spannung
Frequenz
- Auslösezeit Messung t
ΔN
Bereich [ms]
½ I
, I
1÷999
ΔN
ΔN
2 I
1÷200
allgemein
ΔN
1÷250
selektiv
5 I
RCD
1÷50
allgemein
ΔN
1÷160
selektiv
- Berührungs- Spannung Ut
Bereich [V]
0 ÷ 2U
Ut LIM (UL): 25V oder 50V
- Globale Erdwiderstands- Messung (ohne RCD Auslösung)
Bereich [Ω]
1 ÷ 1999
Test Current
- Auslösestrom Messung
RCD Type
IΔN
AC
IΔN ≤ 10mA
A
AC
IΔN > 10mA
A
> 200mA DC per R≤5Ω (Prüfschnüre eingeschlossen)
1mA
4V ≤ V0 ≤ 24V
Bereich [MΩ]
0.01 ÷ 9.99
10.0 ÷ 49.9
50.0 ÷ 99.9
0.01 ÷ 9.99
10.0 ÷ 99.9
100.0 ÷ 199.9
0.01 ÷ 9.99
10.0 ÷ 199.9
200 ÷ 249
250 ÷ 499
0.01 ÷ 9.99
10.0 ÷ 199.9
200 ÷ 499
500 ÷ 999
0.01 ÷ 9.99
10.0 ÷ 199.9
200 ÷ 999
1000 ÷ 1999
<1.3 x Nenn- Prüf-Spannung
<6.0mA mit 500V Prüf-Spannung
>2.2mA mit 230kΩ
>1mA mit 1kΩ*Vnenn
10mA, 30mA, 100mA, 300mA, 500mA
AC, A allgemein und selektiv
100V ÷ 250V
50 Hz
50Hz ± 0.5Hz
t lim
0.5 IΔN set
Bereich I
[mA]
ΔN
(0.5 ÷ 1.4) I
ΔN
(0.5 ÷ 2.4) I
ΔN
(0.5 ÷ 1.4) I
ΔN
(0.5 ÷ 2) I
ΔN
Auflösung [Ω]
0.01
0.1
Auflösung [MΩ]
0.01
0.1
0.1
0.01
0.1
0.1
0.01
0.1
1
1
0.01
0.1
1
1
0.01
0.1
1
1
Auflösung [ms]
1
Auflösung [V]
0.1
Auflösung [Ω]
1
Auflösung [mA]
0.1 I
ΔN
- 107 -
SIRIUS 89N
Release EN 1.01 09/06/2007
Genauigkeit(*)
±(2% Ablesung + 2 Digits)
Genauigkeit
±(2% Ablesung + 2 Digits) se V/R>1μA
±(5% Ablesung + 2 Digits) se V/R≤1μA
±(2% Ablesung + 2 Digits) se V/R>1μA
±(5% Ablesung + 2 Digits) se V/R≤1μA
±(2% Ablesung + 2 Digits) se V/R>1μA
±(5% Ablesung + 2 Digits) se V/R≤1μA
±(2% Ablesung + 2 Digits) se V/R>1μA
±(5% Ablesung + 2 Digits) se V/R≤1μA
±(2% Ablesung + 2 Digits) se V/R>1μA
±(5% Ablesung + 2 Digits) se V/R≤1μA
Genauigkeit
±(2%Ablesung+2Digits)
Genauigkeit
- 0%, +(5% Ablesung + 3Digits)
Genauigkeit IΔN
- 0%, +(5% Ablesung + 3Digits)
Genauigkeit IΔN
- 0%, +5% I
ΔN

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