Endress+Hauser iTEMP TMT162 Technische Information Seite 12

Wiederholbarkeit
Einfluss der Versorgungsspan-
®
nung (HART )
Langzeitstabilität
Einfluss der Umgebungstem-
peratur (Temperaturdrift)
Einfluss der Referenzstelle
(interne Vergleichsstelle)
12
0,0015% des physikalischen Eingangsbereiches (16 Bit)
Auflösung A/D-Wandlung: 18 Bit
≤ ±0,005%/V Abweichung von 24 V, bezogen auf den Messbereichsendwert
≤ 0,1 °C/Jahr (≤ 0,18 °F/Jahr) oder ≤ 0,05%/Jahr
Angaben unter Referenzbedingungen. % beziehen sich auf die eingestellte Messspanne. Der größere Wert ist
gültig.
Gesamttemperaturdrift = Eingangstemperaturdrift + Ausgangstemperaturdrift
Auswirkung auf die Genauigkeit bei Änderung der Umgebungstemperatur um 1 K (1,8 °F):
Eingang 10 bis 400 Ω
typ. 0,001% des Messwerts, min. 1 mΩ
Eingang 10 bis 2000 Ω
typ. 0,001% des Messwerts, min. 10 mΩ
Eingang -20 bis 100 mV typ. 0,001% des Messwerts, min. 0,2 μV
Eingang -5 bis 30 mV typ. 0,001% des Messwerts, min. 0,2 μV
Ausgang 4 bis 20 mA typ. 0,001% der Messspanne
Typische Empfindlichkeiten von Widerstandsthermometern:
Pt: 0,00385 * R /K
nenn
Beispiel Pt100: 0,00385 x 100 Ω/K = 0,385 Ω/K
Typische Empfindlichkeit von Thermoelementen:
B: 10 μV/K bei C: 20 μV/K bei
1000 °C (1832 °F) 1000 °C (1832 °F)
L: 55 μV/K bei N: 35 μV/K bei
500 °C (932 °F) 500 °C (932 °F)
Beispiel für die Berechnung der Messabweichung bei Umgebungstemperaturdrift:
Eingangstemperaturdrift Δϑ = 10 K (18 °F), Pt100, Messbereich 0 bis 100 °C (32 bis 212 °F)
Maximale Prozesstemperatur: 100 °C (212 °F)
Gemessener Widerstandswert: 138,5 Ω (IEC 60751) bei maximaler Prozesstemperatur
Typische Temperaturdrift in Ω: (0,001% von 138,5 Ω) * 10 = 0,01385 Ω
Umrechnung in Kelvin: 0,01385 Ω / 0,385 Ω/K = 0,04 K (0,054 °F)
Pt100 DIN IEC 60751 Kl. B (interne Vergleichsstelle bei Thermoelementen TC)
Cu: 0,0043 * R /K
nenn
D: 20 μV/K bei E: 75 μV/K bei
1000 °C (1832 °F) 500 °C (932 °F)
R: 12 μV/K bei S: 12 μV/K bei
1000 °C (1832 °F) 1000 °C (1832 °F)
TMT162
Ni: 0,00617 * R /K
nenn
J: 55 μV/K bei K: 40 μV/K bei
500 °C (932 °F) 500 °C (932 °F)
T: 50 μV/K bei U: 60 μV/K bei
100 °C (212 °F) 500 °C (932 °F)
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