Inhaltsverzeichnis
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Hf-Ausgangsleistung
Modulation
Ruftonfrequenz
Frequenzdrift
Nebenwellenabstrahlung
Tragerunterdrlckung
Seitenbandunterdrtickung
Frequenzhub (FM)
Mikrofon
Schaltungsart
Eingangsempfindlichkeit
Trennscharfe
Nebenwellenunterdriickung
Squelch-Empfindlichkeit
Suchlauf-Empfindlichkeit
Nf-Ausgangsleistung
Abstimmbereich
Frequenzaufbereitung
Betriebsarten
Frequenzstabilitat
Betriebsspannung
Betriebstemperatur
Stromverbrauch
Halbleiterbestiickung
Abmessungen (BxHxT)
Gewicht
Technische Anderungen ohne Voranktindigung jederzeit vorbehalten.
Technische Daten
HI (SSB, FM, CW): 25 Watt
LOW (FM, CW):
FM: Frequenzmodulation
1750 Hz
SSB, CW: unter L 10 x 10 -6
FM: unter? 20 x 10 -6
HI : unter -60 dB
LOW: unter -53 dB
iiber 40 dB
max. + 5 kHz
dynamisches 500 Ohm-Handmikrofon
mit PTT- und Fernbedienungstasten (UP/DOWN)
FM: Doppelsuper
SSB, CW: Einfachsuper
1. Zf: 10.695 MHz, 2. Zf: 455 kHz (FM)
FM: iiber 0,5 UV fiir 30 dB=
SSB, CW: 0.2 UV fiir 10 dB=
FM: 14 kHz/-6 dB, 30 kHz/-60 dB
SSB, CW: 2.2 kHz/-6 dB, 4,B kHz/-60 dB
144.000.0 bis 145.999.9 MHz
durch Digital-Synthesizer und phasengeregeltem VCO
FM (F3). SSB (A3J). CW (Al)
Einlaufzeit, danach 2 50 Hz pro 30 Min. bei 25'C
13,B V=+ 15%
negativ (Chassis an Masse)
3 mA fiir Speicher-Dauerstromversorgung
12 ICs, 15 FETs, 105 Transistoren, 126 Dioden
5 Watt
N
N
3
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