Mosfets; Drei-Terminal Test Von Mosfet´s - Polar T3000 Bedienerhandbuch

T2500/T3000 Bedienerhandbuch
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4.6 MOSFETS

VORSICHT: Beachten Sie Antistatikvorkehrungen bei der Handhabung von
MOSFET´s. Verwenden Sie den LOGIC Bereich zum Testen
(oder LOW für Leistungs-MOSFET´s). Verwenden Sie nicht die
Bereiche MED oder HIGH.
MOSFET´s sind Feldeffekttransistoren, deren Gate vom Kanal isoliert ist.
Gate-Drain und Gate-Source Tests zeigen normalerweise eine Leerlaufsignatur,
obwohl einige MOSFET´s eine Schutzdiode zwischen Gate und Source geschaltet
haben. In diesen Fällen zeigt die Signatur das Verhalten einer Zenerdiode
(Abbildung 21).
Drei-Terminal Test von MOSFET´s
Wie beim JFET wird das Source-Drain Leitverhalten durch die Gate-Source
Spannung. MOSFET´s sind in zwei Varianten - den Anreicherungstypen und den
Verarmungstypen- erhältlich, wobei das Leitverhalten durch Vorwärts/Revers-
Vorspannung des Gate-Source Überganges kontrolliert wird.
Folgen Sie dieser Prozedur für einen N-Kanal Anreicherungstyp MOSFET. Der
aussagekräftige Teil der Signatur erscheint im rechten Quadranten des
Bildschirms; Ignorieren Sie den unteren linken Quadranten. Wenn nicht anders
angegeben, gilt diese Prozedur auch für P-Kanal FET´s. Die Signaturen sind
spiegelbildlich (der wichtige Teil der Signatur erscheint im linken Quadranten):
1. Verbinden Sie Drain mit Kanal A, Source mit COM und das Gate mit einem
der Pulsgeneratorausgänge.
2. Wählen Sie den LOGIC-Bereich, LOW Frequenz, Pulsausgang DC, Polarität
(Siehe untenstehende Anmerkung). Stellen Sie den Pegel auf 0.
Um die erforderliche Polarität für die Gate-Ansteuerung zu bestimmen, beachten
Sie, daß das Gate für Anreicherungstypen in Vorwärtsrichtung vorgespannt und
für Verarmungstypen in Sperrichtung vorgespannt ist. N-Kanal
Anreicherungstypen und P-Kanal Verarmungstypen erfordern eine positive
Gatespannung, N-Kanal Verarmungstypen und P-Kanal Anreicherungstypen
erfordern eine negative Gatespannung.
3. Wenn LEVEL auf 0 gestellt ist, zeigt die Drain-Source Signatur eine
horizontale Linie für Sperrverhalten. Wird LEVEL erhöht (erhöhen der Vorwärts-
Vorspannung des Gate-Source Überganges) wird die Leitfähigkeit des Kanals
erhöht und eine Signatur wie in Abbildung 27 gezeigt. Wird LEVEL weiter erhöht,
erhöht sich die Leitfähigkeit bis die Signatur eines kleinen Widerstandes (fast
vertikale Linie).
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