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T2500/T3000 Bedienerhandbuch
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4.5 J-Feldeffekt Transistoren (JFET´s)
Der J-Feldeffekt-Transistor besteht aus einem Halbleiterblock (dem Kanal) und
einer Region dotiert mit Halbleitermaterial der entgegengesetzten Type zum Kanal
(dem Gate).
Das Gate formt einen Diodenübergang mit jedem Ende des Kanals (dem "Source"
und "Drain") welche wie konventionelle Dioden getestet werden können.
Die Signaturen zwischen Source und Drain (Abbildung 27) zeigen einen
Widerstand mit niedrigem Wert undd nichtlinearem Verhalten. Um eine stabile
Anzeige zu erhalten, ist es notwendig, das Gate mit Source zu verbinden. Ein
offenes Gate ist äußerst empfindlich gegen Interferenzen vom Testsignal.
Drei-Terminal Test von JFET´s
Der Leitzustand zwischen Source und Drain eines JFET´s wird durch Reverse-
Betrieb des Gate-Source-Überganges gesteuert.
Die folgende Prozedur gilt für N-Kanal FET´s. Der aussagekräftige Teil der
Signatur erscheint im rechten Quadranten der Anzeige; Ignorieren Sie den linken
Quadranten. Die Prozedur ist, falls nicht anders angegeben, identisch für P-Kanal
FET´s wobei eine spiegelbildliche Darstellung erfolgt. (d.h. der wichtige Teil der
Signatur erscheint im linken Quadranten):
1. Verbinden Sie Drain mit Kanal A, Source mit COM und das Gate mit einem
der beiden Pulsgeneratorausgänge.
2. Wählen Sie den LOGIC-Bereich, LOW Frequenz, Pulsausgang DC, Polarität +
(für P-Kanal) oder - (für N-Kanal). Stellen Sie den Pegel auf 0.
3. Wenn der Pegel 0 ist, so ist die Drain-Source Signatur ähnlich wie in
Abbildung 27. Wird der Pegel erhöht (erhöhen der Revers-Vorspannung des
Gate-Source-Übergangs), so wird der Leitzustand im Kanal reduziert. Wenn
der Pegel weiter erhöht wird, bricht der Leitzustand ab und die Signatur im
rechten Quadranten ergibt eine horizontale Linie.
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