Prüfung Des Trägheitsgrades; Prüfung Des Thermischen Gedächtnisses - Siemens Sentron 3WL Bedienungsanleitung

6.3 Prüfung des Trägheitsgrades
Mit Taster MODE (1) Phase L1 anwählen.
Prüfstrom gemäß I = 6 * I
p R
= Prüfstrom
I
p
I = Einstellstrom 0,4 ...1,0 * I
R
Prüfvorgang mit Taster START/STOP (10) einleiten
Bei Prüfung eines Auslösers ETU15B, ETU25B oder ETU27B muss
die gemessene Auslösezeit zwischen 8 und 10 s liegen.
Bei allen anderen Auslösern muss die gemessene Auslösezeit
gleich dem am Auslöser eingestellten Trägheitsgrad t
2
betragen (Einstellung I t) oder t
4
t).
I
Nach der Prüfung in der Strombahn L1 ist die Prüfung in den Strom-
bahnen L2, L3 und ggf. der Strombahn N zu wiederholen. Dabei ist
zu beachten, dass bei der Einstellung I
0.5* I/I beträgt.
n
6.4 Prüfung des thermischen Gedächtnisses
Diese Prüfung wird angewendet, wenn das thermische Gedächtnis
der ETU (MEMORY) eingeschaltet ist.
Die Prüfung des thermischen Gedächtnisses kann in einer beliebi-
gen Phase durchgeführt werden.
- Fremdversorgung deaktivieren (15)
- Mit dem Taster MODE (1) die Phase anwählen
- Prüfstrom wie unter 5.3 Einstellen der Prüfströme L1, L2,
L3 und N beschrieben einstellen
- Prüfung vorbereiten mit Taster TEST ENABLED (9)
- Prüfvorgang mit Taster START/STOP (10) einleiten
- Nach erfolgter Auslösung Prüfvorgang sofort erneut star-
ten (Taster (9), Taster (10)).
Die Auslösezeit der zweiten Auslösung muss mindestens 5% klei-
ner sein als die Zeit der ersten Auslösung. Ist das Gedächtnis aus-
geschaltet, ergibt sich bei jeder Prüfung die volle Auslösezeit:
2
t = t * [6 / (I/I )] für die I
a max R R
4
t = t * [6 / (I/I )] für die I
a max R R
einstellen.
n
+0 / -20 %
R
+0 / -40 % betragen (Einstellung
R
= 0.5 * I der Prüfstrom
N n
2
t-Kennline
4
t-Kennline
6.3 Testing the Time Lag Class
Select phase L1 by means of the MODE pushbutton (1).
Set the test current according to I
= test current
I
p
I = setting current 0.4 ...1.0 * I
R
Start testing by pressing the START/STOP pushbutton (10).
When testing ETU15B, ETU25B or ETU27B releases, the
measured tripping time must be between 8 and 10 seconds.
For all other releases, the measured tripping time must be the same
as the time lag class t +0 / -20 % that is set on the release (setting
R
2
t) or t +0 / -40% (setting I
I
R
After testing in conducting path L1, repeat the test in conducting
paths L2, L3 and, if required, conducting path N. In the case of the
setting I = 0.5 * I , ensure that the test current is 0.5* I/I
N n
6.4 Testing the Thermal Memory
This test is used when the thermal memory (MEMORY) of the ETU
is switched on.
Thermal memory testing can be carried out in any phase.
- Deactivate the external power supply (15).
- Select the phase by means of the MODE pushbutton (1).
- Set the test current as described in 5.3 Setting the Test
Currents L1, L2, L3 and N.
- Enable testing by pressing the TEST ENABLED
pushbutton (9).
- Start testing by pressing the START/STOP
pushbutton (10).
- After successful tripping, start the test procedure again
immediately (pushbutton (9), pushbutton (10)).
The tripping time of the second tripping event should be at least 5%
shorter than that of the first tripping event. If the memory is switched
off, all tests will result in the entire tripping time:
2
t = t * [6 / (I/I )] for the I
a max R R
4
t = t * [6 / (I/I )] for the I
a max R R
= 6 * I .
p R
n
4
t).
2
t characteristic curve
4
t characteristic curve
.
n
6 – 2