Modus-Spezifische Richtlinien - Dell PowerEdge R610 serie Hardware-Benutzerhandbuch

• Bei Verwendung der Modi Memory Mirroring oder Advanced ECC bleiben
die drei Sockel, die am weitesten vom Prozessor entfernt sind, ungenutzt,
und die Speichermodule werden beginnend mit Sockel A2 oder B2
installiert und in dieser Reihung fortgesetzt: A2, A3, A5 und A6.
• Der Modus Advanced ECC erfordert die DRAM-Gerätebandbreiten x4
oder x8.
• Die Speichertaktung jedes Kanals hängt von der Speicherkonfiguration ab:
– Bei Einzel- oder Dual-Speichermodulen:
• Ein Speichermodul pro Kanal unterstützt bis zu 1333 MHz.
• Zwei Speichermodule pro Kanal unterstützen bis zu 1067 MHz.
– Bei Vierfach-Speichermodulen:
• Ein Speichermodul pro Kanal unterstützt bis zu 1067 MHz.
• Zwei Speichermodule pro Kanal sind auf 800 MHz beschränkt,
unabhängig von der Geschwindigkeit des Speichermoduls.
• Wenn Vierfach-Speichermodule mit Einzel- oder Dual-Modulen gemischt
eingesetzt werden, müssen die Vierfach-Module in den Sockeln mit den
weißen Auswurfvorrichtungen installiert werden.
• Wenn Speichermodule mit verschiedenen Taktraten installiert werden,
erfolgt der Betrieb mit der Taktrate des langsamsten Speichermoduls.

Modus-spezifische Richtlinien

Jedem Prozessor sind drei Speicherkanäle zugewiesen. Die Anzahl der
verwendeten Kanäle und die zulässigen Konfigurationen sind vom ausgewählten
Speichermodus abhängig.
Unterstützung für Advanced ECC (Lockstep)
Bei dieser Konfiguration werden die zwei dem Prozessor am nächsten liegenden
Kanäle zu einem 128-Bit-Kanal kombiniert. Dieser Modus unterstützt SDDC
(Single Device Data Correction) für x4- und x8-Speichermodule.
Speichermodule müssen in entsprechenden Sockeln in Kapazität, Taktrate und
Technologie übereinstimmen.
Installieren von Systemkomponenten
131