Bank Interleave
Dieses Feld ermöglicht die Auswahl von 2-Bank- oder 4-Bank-Inter-
leave für den installierten SDRAM. Deaktivieren Sie die Funktion,
wenn 16 MB SDRAM installiert ist. Einstellungen: Disabled, 2-Way
und 4-Way.
SDRAM Burst Length
Diese Einstellung ermöglicht Ihnen, die Größe der Burst-Länge für DRAM
einzustellen. Mit Bursting wird eine Technik bezeichnet, bei der der DRAM
selbst die nächste Speicheradresse vorherbestimmt, auf die zugegriffen
werden soll, nachdem auf die erste Adresse zugegriffen worden ist. Um
dieses Leistungsmerkmal zu nutzen, müssen Sie die Burst-Länge
definieren, die die tatsächliche Länge des Burst plus der Start-Adresse
beschreibt und dem internen Adress-Zähler ermöglicht, die nächste
Speicheradresse richtig zu generieren. Je größer die Burst-Länge, desto
höher die Performance des DRAM. Einstellungen: 4 QW, 8 QW.
SDRAM 1T Command
Diese Einstellung steuert die Befehlsrate des SDRAM. Wählen Sie
Enabled, kann der SDRAM-Signal-Controller mit einer Rate von 1T
(T=Taktzyklen) laufen. Wählen Sie Disabled, wird der SDRAM-Signal-
Controller dazu veranlasst, bei einer Rate von 2T zu laufen. 1T ist schneller
als 2T. Einstellungsmöglichkeiten: Disabled, Enabled.
Fast Command
Dieser Menüpunkt steuert das interne Timing der CPU. Wenn Sie Ultra
wählen, kann die CPU Daten/Befehle mit der höchsten Geschwindigkeit
verarbeiten. Fast ermöglicht der CPU eine Verarbeitung mit einer erhöhten
Geschwindigkeit, während Normal die CPU veranlasst, die Verarbeitung
mit der niedrigsten Geschwindigkeit durchzuführen.
Fast R-2-R Turnaround
Ein Burst-Lesevorgang kann durch einen neuen Lesevorgang einer Bank
unterbrochen werden. Wahlfreier Spaltenzugriff ist erlaubt. Das READ to
READ-Intervall soll mindestens 1 CLK betragen. Wählen Sie Enabled,
um das Turnaround-Intervall zur Verbesserung der Performance abzu-
kürzen. Einstellungsmöglichkeiten: Disabled, Enabled
AGP Timing Control
Wenn Sie die Eingabetaste drücken, erscheint das folgende Untermenü.
BIOS-Setup
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