Assistenza Tecnica - Siemens SITRANS P DS III Kompaktbetriebsanleitung

Certificati e omologazioni
collegamento
tipo di protezione antideflagrante
•
"n" (zona 2)
Marchio
collegamento "nA"
collegamento "ic"
capacità interna effettiva
induttanza interna effettiva
protezione contro le esplosioni
•
secondo FM
contrassegno (XP/DIP) o IS; NI; S CL I, DIV 1, GP ABCD T4 ... T6; CL II, DIV 1, GP EFG; CL III; CL I, ZN 0/1 AEx ia
Temperatura ambiente ammessa
protezione contro le esplosioni
•
secondo CSA
contrassegno (XP/DIP) o (IS)
Temperatura ambiente ammessa
A Appendice A
A.1 Certificati
I certificati sono disponibili sul CD fornito in dotazione e in Internet:
Certificazioni (http://www.siemens.com/processinstrumentation/certificates)
A.2

Assistenza tecnica

Supporto tecnico
Se la presente documentazione non fornisce risposte complete alle domande di carattere tecnico contattare il Supporto
tecnico:
● Support Request (http://www.siemens.com/automation/support-request)
SITRANS P DS III/P410 (7MF4.33.. 7MF4.34.. 7MF4.35..)
A5E03434626-04, 05/2015
HART
sul circuito elettrico con valori di
esercizio:
U = DC 10,5 ... 45 V; P
H
II 2/3 G Ex nA IIC T4/T5/T6 Gc
II 2/3 G Ex ic IIC T4/T5/T6 Gc
U = 45 V
n
sul circuito elettrico con valori di
esercizio:
U = 45 V
i
C = 6 nF
i
L = 0,4 mH
i
Certificate of Compliance 3008490
IIC T4 ... T6; CL I, DIV 2, GP ABCD T4 ... T6; CL II, DIV 2, GP FG; CL III
T = T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
T = T5: -40 ... +70 °C (-40 ... +158 °F)
a
T = T6: -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
a
Certificate of Compliance 1153651
CL I, DIV 1, GP ABCD T4 ... T6; CL II, DIV 1, GP EFG; CL III; Ex ia IIC T4 ... T6:
CL I, DIV 2, GP ABCD T4 ... T6; CL II, DIV 2, GP FG; CL III
T = T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
T = T5: -40 ... +70 °C (-40 ... +158 °F)
a
T = T6: -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
a
PROFIBUS PA o FOUNDATION
Fieldbus
a circuito elettrico con valori di esercizio:
U = DC 9 ... 32 V; P
H
= 1,2 W
max
U = 32 V
m
Unità di alimentazione FISCO
U =17,5 V, I
O
Barriera lineare
U = 32 V, I
0
C = 1,1 nF
i
L = 7 µH
i
= 1,2 W
max
= 570 mA
O
= 132 mA, P = 1 W
0 0
267