Fnirsi DSO-TC4 Bedienungsanleitung Seite 85

3.3 Изпитване на компонентите
Обхват
Категория
Транзистор
*
Пряк спад на
Диод
напрежението <5V
Диод на
0.01~4.5V
Ценер
Полупроводник
JFET
ов транзистор
(FET)
IGBT
MIOSTET
Напрежение на задействане
Еднопосочен
<5V, ниво на затвора
SCR
Двупосочен
Ток на задействане <6mA
SCR
25pF ~ 1000μF
Кондензатор
0.01Ω~50MΩ
Резистор
10μH ~ 1000μH
Индуктор
-
DS18820
-
DHT11
Описание
Коефициент на усилване "hfe"; напрежение база-емитер "Ube", Ic/le, ток
на обратна утечка колектор-емитер "Iceo", Ices, пад на напрежение
в посока на пропускане на защитния диод "Uf"
Падане на напрежението в посока на преминаване,
капацитет на прехода, обратен ток на утечка
(тестова зона 1-2-3) Спад на
напрежението в посока на
преминаване
Капацитет на гейта "Cg"; Изходящ ток Id при "Vgs";
Падане на напрежение в посока на
пропускане на защитния диод "Uf"
Ток на утечка Id при Vgs; пад на
напрежение в посока на пропускане на
защитния диод Uf
Напрежение на прага "Vt"; Капацитет на гейта "Cg";
Съпротивление между дрейна и източника "Rds";
Падане на напрежението в посока на пропускане на
защитния диод "Uf".
Напрежение
Стойност на капацитета, коефициент на загуба "Vloss"
Стойност на съпротивлението
Стойност на индуктивността, съпротивление на
постоянен ток
Температурен сензор, изводи: GND, DQ, VDD
Сензор за температура и влажност, изводи: VDD,
DATA, GND
BG