Hitachi HA-7700 Serviceanleitung Seite 5

der es ermdglicht, einen dynamischen Tonab-
nehmer (MC-moving coil = bewegte Spule)
direkt anzuschlieBen. Dank eines rauscharmen
Feldeffekttransistors (FET) und 4 Transistoren
in der rein komptementaéren Gegentaktschal-
tung, liefert dieser Vorverstarker einen Rausch-
abstand von 68 dB und eine Verzerrung von nur
001%.
Der Entzerrerverstarker ist ausgeriistet mit 7
Transistoren in der rein komplementaren Ge-
gentaktschaltung und 2 rauscharmen FETs,
angeordnet als Differentialschaltung in der
ersten Stufe. Dieser Aufbau liefert einen Rau-
schabstand von 86 dB und eine Verzerrung
von nur 0,002%.
Dartiberhinaus betragt die RIAA Abweichung
+0,2dB Uber einen Frequenzbereich von 20
Hz — 20kHz, und die grdRte Phono-Nutz-
leistung liegt bei 300 mV (MM: bei 1 kHz
T.H.D. 0.01%). Das sorgt bei Musikwiedergabe
fiir ein sattes Raumklangbild.
HITACHI HA-7700
5. PHONO-WahIschalter
Plattenspieler, ausgeriistet mit MC (moving
coil = bewegte Spule) oder MM (moving mag-
net = bewegter Magnet) Tonabnehmersystem,
k6nnen entweder an die PHONO-1 oder PHONO-
2 Plattenspieler-Eingangsklemmen angeschlossen
werden. Die zwei Systeme kénnen dann an der
Frontbedienungstafel mit dem Phono-Schalter
wahIlweise eingestellt werden. Weiterhin kann
bei angeschlossenem MM-Tonabnehmer der
Abschlu&widerstand auf eine der vier Stufen
eingestellt werden, wodurch Hérgenu&, auf-
grund feinster Abanderungen der Klangqualitat,
gewonnen wird.
. Hochstzuverlassige Schutzschaltung
Zum Schutz der POWER MOS FET-Leistungs-
stufe sind eine Stromspiegelschaltung, die den
Bereich sicherer Funktion erfa®t, und eine
Gleichspannungsnachweisschaltung eingebaut.
Dieser Schaltkreis besitzt eine hohe Zuverlassig-
keit und beherrscht leicht auftretende Stdrun-
gen.
1, Une conception destinée 4 obtenir une faible
distorsion tout le long d'une bande trés large
Pour une qualité sonore supérieure
Le POWER MOS FET se caractérise par une
impédance élevée d'entrée et constitue un
dispositif d'entrafnement de tension. Ces deux
avantages permettent d'obtenir un gain de
Puissance trés élevé et une configuration de
circuit de conception simple. Voila pourquoi le
niveau de bruit parasite est réduit a son mini-
mum ainsi que le glissement de phase, deux
phénoménes qui exercent un effet nuisible
sur la qualité sonore. Voila pourquoi, aussi, il
n'y aucune détérioration en ce qui concerne le
facteur de distorsion. En plus, la réponse en
fréquence est excellente, la vitesse de com-
mutation est rapide, et on est assuré d'un
fonctionnement stable méme dans !e domaine
des hautes fréquences avec une distorsion de
cran réduite de facon remarquable. Cette
conception permet d'obtenir un trés bas fac-
teur de distorsion tout le long d'une vaste
bande avec un débit de puissance continue de
65 watts minimum par canal sous 8 ohms
(20 Hz — 20 kHz) avec une distorsion harmo-
nique totale ne dépassant pas 0,02%.
. Un amplificateur CC permettant une transmis-
sion précise de 'onde sonore
Cet amplificateur CC présente un pré-amplifica-
teur & bobine mobile (MC), un amplificateur
d'égalisation, un amplificateur de tonalité et
un amplificateur principal. L'on a supprimé les
condensateurs dans la boucle de contre-réaction
et méme dans fe montage d'entrée. Cela permet
d'améliorer les caractéristiques de phase.
. Alimentation indépendante en puissance gauche
et droite
Les réactions de traverse instantanées 4 travers
les alimentations en puissance ont été éliminées
en installant des transformateurs de puissance
indépendants gauche et droit. Quatre conden-
Sateurs d'une capacité de 12000 uF sont em-
Ployés (pour chaque canal) ayant une capa-
Cité totale de 48 000 uF. Chacun d'eux se carac-
térise par une réponse améliorée dans le domaine
des hautes fréquences et ceci concourt a stabili-
ser la réponse
toute entiére depuis te domaine
des hautes fréquences jusqu'a celui des basses
6
ia
fréquences de facon a4 obtenir une qualité
sonore étonnante.
. Un pré-amplificateur MC et un amplificateur
d'égalisation pour obtenir un meilleur rapport
signal/bruit
Ce modéle est muni d'un pré-amplificateur MC
qui permet de relier directement des cellules a
bobine mobile (MC). Grace au FET (Transistor
a effet de champ) de réduction de bruit et aux
quatre transistors du circuit complémentaire
symétrique,
ce pré-amplificateur permet d'ob-
tenir un rapport signal/bruit de 68dB
et un
taux de distorsion de 0,01%.
L'amplificateur d'égalisation est muni d'un
circuit symétrique complémentaire pur a 7
transistors avec 2 FET de réduction du bruit
montés comme un circuit différentiel au pre-
mier étage. Cette conception
permet d'obtenir
un rapport signal/bruit de 86 dB et un taux de
distorsion de 0,002%.
Un commutateur de sélection PHONO
Circuit de protection a haute fiabilité
Dans le but de protéger efficacement le POWER
MOS FET, un circuit 4 miroir courant qui
permet de déterminer l'espace de fonctionne-
ment de sécurité, et un circuit de détection de
tension a courant continu, ont été instaliés.
Ces circuits se caractérisent par un niveau de
fiabilité élevé qui permet de protéger efficace-
ment l'appareillage et de faire face aux inci-
dents éventuels.