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3-16
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DRAM Clock:
Dieses Element stellt den DRAM-Takt Ihres DRAM-Moduls ein. Wenn Ihr DRAM-Modul den von Ihnen
eingestellten Takt nicht unterstützt, kann das System instabil werden oder nicht mehr starten.
Wenn auf [By SPD] gestellt, liest das BIOS die SPD-Daten aus dem DRAM-Modul und stellt den
DRAM-Takt automatisch gemäß dem von Ihnen gespeicherten Wert ein.
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CAS Latency Time:
Sie können die SDRAM CAS (Column Address Strobe) Latenzzeit gemäß Ihrer SDRAM-Spezifikation
auswählen.
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Row Cycle Time:
Dieser Punkt gibt die RAS# active to RAS# active-Zeit oder die Auto-Refreshzeit der selben Bank an.
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Row Refresh Cycle Time:
Dieser Punkt gibt die auto refresh active to RAS# active-Zeit oder die RAS#-Auto-Refreshzeit an.
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Min. RAS# Active Time:
Dieser Punkt gibt die minimale RAS# active-Zeit an.
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RAS# to CAS# Delay:
Dieser Punkt spezifiziert die RAS# active to CAS# read write-Verzögerungszeit zur selben Bank an.
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RAS# Precharge Time:
Dieser Punkt gibt die RAS# precharge-Zeit an.
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RAS# to RAS# Delay:
Dieser Punkt gibt die RAS# active to RAS# active-Verzögerungszeit der anderen Bank an.
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Write Recovery Time:
Dieser Punkt spezifiziert die seit dem letzten vom DRAM gemessenen sicheren Schreibvorgang
verstrichene Zeit.
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Write to Read Delay:
Dieser Punkt gibt die Zeit an, die zwischen der auf den letzten unmaskierten Datenimpuls folgenden
ansteigenden Flanke bis zur ansteigenden Flanke des nächsten Lesebefehls gemessen wurde.
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Read to Write Delay:
Hier wird der Read to Write Delay (Lesen-Schreiben Verzögerung) eingestellt.
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DRAM Command Rate:
Wenn der Host (Northbridge) die gewünschte Speicheradresse findet, verarbeitet es den Wartezustand der
Befehle.
AT8
Kapitel 3
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