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2.3.8
RAS to CAS Delay
(Verzögerung vom RAS zum CAS)
Mit dieser Funktion können Sie die Wartezeit zwischen den RAS- und CAS-
Signalen einrichten. Die verfügbaren Einstellungen sind
Die Standardeinstellung ist
Installieren Sie jedoch DRAMs mit EDO-Funktion (Extended Data Output),
müssen Sie die Einstellung auf
Systemleistung.
2.3.9
DRAM Write Burst Timing
(DRAM-Schreib-Burstzeit)
Dieser Parameter stellt den Schreibwartestatus zwischen dem externen und
dem DRAM-Cache ein. Der externe Cache wird anhand der Write-back-
Methode ausgeführt und jede Cacheschreibung besteht aus vier
zusammenhängenden Cacheschreibzyklen. Daher besteht diese Einstellung
aus vier einzurichtenden Ziffern.
Die verfügbaren Einstellungen sind
Der x-Wert hängt von der Einstellung des Parameters DRAM Lead-off
Timing ab. Schnellere DRAMs benötigen kürzere Wartezeiten. Die
Standardeinstellung für diesen Parameter ist
2.3.10
DRAM Read Burst Timing (EDO/FPM)
(DRAM-Lese-Burstzeit)
Dieser Parameter stellt den Lesewartestatus zwischen dem externen und dem
DRAM-Cache ein. Ähnlich dem DRAM Write Burst Timing muß auch
dieser Parameter vier Ziffern einrichten. Jedesmal, wenn die CPU eine
Auslassung vom externen Cache einliest, liest sie vier zusammenhängende
Speicherzyklen in vier zusammenhängende Adressen vom DRAM-Cache.
Das Read Burst Timing ist für EDO- (Extended Data Output) und FPM-
(Fast Page Mode) DRAMs unterschiedlich. Die verfügbaren Einstellungen
sind
X-3-3-3/X-4-4-4, X-2-2-2/X-3-3-3
Der x-Wert hängt von der Einstellung des Parameters DRAM Lead-off
Timing ab. Schnellere DRAMs benötigen kürzere Wartezeiten. Die
Standardeinstellung für diesen Parameter ist
BIOS-Utility
3 clocks
.
2 clocks
abändern. Dies verbessert die
X-4-4-4, X-3-3-3
X-3-3-3
und
X-2-2-2/X-3-3-3
3
und
2 clocks
.
X-2-2-2
und
.
.
X-4-4-4/X-4-4-4
.
.
2-15
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Kapitel
