5.3.7. WEEE
Bei der Entwicklung der ATyS
5.3.8. EMV
Bei der Entwicklung der ATyS
Geräte der Klasse B:
&DQ SD CHD E Q CDM $HMR@SY HM HMCTRSQHDKKDQ FDVDQAKHBGDQ TMC OQHU@SDQ 4LFDATMF UNQFDRDGDM RHMC
Schnelle transiente
2S QFQ DM
Überspannung
2SQNLRSNOQ ETMF
Elektrostatische Entladungen
(ESD)
Elektromagnetische
Felder mit Abstrahlung bei
Funkfrequenzen
Geschirmte Emission,
induziert durch Funkfelder
/Q ETMF CDQ
leitungsgebundenen
Emissionen
/Q ETMF CDQ EDKCFDATMCDMDM
Emissionen
14
ATyS S / Sd - Best.-Nr.: 541 892 C
S
und ATyS Sd wurde die Richtlinie 2002/96/EG beachtet.
S
und ATyS Sd wurde die Norm IEC 60947-1 beachtet.
5#" TRE GQTMF l J5 *QHSDQHTL !
5#" TRE GQTMF l J5 *QHSDQHTL !
5#" TRE GQTMF l J5 *QHSDQHTL !
anwendbar auf Steuerungssteckverbinder 1kV gegen die Erdung.
5#" TRE GQTMF l J5 *QHSDQHTL !
5#" TRE GQTMF l J5 *QHSDQHTL !
5#" TRE GQTMF l J5 *QHSDQHTL !
4,8 kV 1,2/50 us – 0,5 J – IEC 60947-1 Kriterium A
#" TRE GQTMF l J5 *QHSDQHTL !
5 " TRE GQTMF l J5 *QHSDQHTL !
Kontaktentladungen 4kV, Entladung der Luft: 8 kV
Frequenzbereich: 80 – 1000 MHz
5#" TRE GQTMF l 5L *QHSDQHTL
5#" TRE GQTMF l 5L *QHSDQHTL
5 " TRE GQTMF l 5L *QHSDQHTL
Frequenzbereich: 0,15 – 80 MHz
5#" TRE GQTMF l 5 *QHSDQHTL
5#" TRE GQTMF l 5 *QHSDQHTL
5 " TRE GQTMF l 5 *QHSDQHTL
150 kHz bis 30 MHz, Klasse B
30 MHz bis 1000 MHz, Klasse B