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VorsichtsmaBnahmen bei MOS Schaltungen
(uPD547C-042)
Der Isolationswiderstand von MOS - IS, die aus einer sehr dunnen
Oxidschicht bestehen,
ist sehr hoch.
Dadurch
ist es médglich,
daf& durch statische Aufladung des Menschen, wie sie entstehen
kann bei Reibung an den Kleidern, die Potentialdifferenz so gro&
wird, daf& ein Uberschlag und damit eine Beschadigung auftritt.
Die folgenden Ma&nahmen sollen bei der Handhabung beachtet
werden.
(Besondere Vorsicht ist angebracht bei geringerer Luftfeuchtig-
keit).
VorsichtsmaBnahmen
beim Wechseln von MOS —- 1S
1.Die Lagerung ist am zweckmafigsten in leitfahigem Schaum-
stoff oder in Alu-Folie, damit alle Anschlisse gleiches Potential
haben (Abb. A und B).
IS
Ic
Abb. A Fig.
leitfahiger Schaumstoff
partially conductive
urethane-polyester cushion
Abb. B Fig.
Aluminiumfolie
aluminum foil
2.Prifen
Sie den Létkolben
auf mdglichen
Fehlstrom.
Schalten
Sie zur Prifung ein Ohmmeter zwischen die Létspitze und den
Netzstecker, siehe Bild C. Wenn
der Zeiger ausschlagt, einen
anderen Létkolben verwenden.
3. Bevor mit MOS - IS gearbeitet wird, soll ein Potentialausgleich
aller bendtigten
Mittel,
auch
des
Menschen,
durchgefihrt
werden, d.h. alles gleichzeitig verbinden mit den Handen.
4. Die folgenden Maf&nahmen fiir die Handhabung von MOS - IS
gewahrleisten, da& keine Potentialdifferenz in der IS auftritt.
e Verwenden
Sie eine Papierklammer,
an die ein Draht gelétet
ist... (Abb. D).
Draht
wire braid
Klammer
clip
> * °, y
a . :
b
>
Fara
Oe
+
|
Es darf kein Létzinn an der Innenseite sein.
Make sure that there is no solder on the inside.
Pe os,
Abb. D Fig.
s
Handling Precautions for MOS IC IC801
(uPD547C-042)
Generally, the insulation resistance of the oxide layer in MOS IC
structures is very high, and the oxide layer is very thin, Because
of this, it is possible
that the
static
voltages
usually present
on clothes
and the human
body will be enough
to generate
a potential difference across the insulator, high enough to cause a
breakdown of the insulating layer.
The following precautions should be taken while handling these
ICs.
(Particular care should be taken under conditions of low humidity).
Precautions in replacing MOS ICs
1. Store new ICs by inserting them into a urethane-polyester cushion
(which is somewhat conductive), or wrapping it in aluminum foil,
so that all the pins are at the same potential.
(The ICs should be stored in that manner until mounted on the
circuit board) (Fig. A and B).
Ohmmeter {Q x 10.000 Bereich)
VOM (Q 10,000 range}
Abb. C Fig.
Létkolben
:
soldering iron
2. Check the soldering iron for possible power-line leakage current.
Make
sure
that there
is no
leakage
path
by connecting
an
ohmmeter
to the
tip of the soldering
iron and
the plug as
shown
in Fig. C. If there is a leakage path, use some
other
soldering iron.
3. Equalize any potential difference between the clothes, the tools
in use, the work bench, the set being worked on, and the packaged
IC by touching
them
all in succession
with
the hands
or a
conductive wire or tool.
4. The following are effective methods for handling ICs that remove
the potential difference across the oxide layer.
e Use a paper clip modified by soldering in a wire braid insert
(Fig. D).
Klammer
clip
Leitfahiger Schaumstoff
oder eine Aluminium-Folie
Partially conductive
urethane-polyester cushion
or aluminum foil
Abb. E Fig.
MODUL-301C
MODUL-301C
e Verwenden
Sie einen
blanken
Draht
und binden
Sie diesen
um die iS, daf& alle Anschlisse der IS kurzgeschlossen sind,
so lange sie noch
durch den leitfahigen Schaumstoff
oder
durch
die Aluminium-Folie
verbunden
sind. Dann
haben
alle
Anschlisse dasselbe Potential (Abb. E bis G).
Draht
wire braid
Klammer
clip
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J
Alle Anschliisse sollen mit dem
Draht Kontakt haben. (Dann liegen
alle Anschlisse auf demselben
Potential).
Abb. F Fig.
Make sure that all the pins are in contact
with the wire braid (ali the pins will
then be at the same potential).
a
Abb. H Fig.
e Falls die IS mit den Handen angefa&t werden muB&, durfen Sie
niemais
die Anschlisse
berthren,
sondern
die |S nur am
Kunststoffgehause, wie angedeutet, anfassen (Abb. H).
5. Bestuckungsmethode
Die IS mit der Klammer
bestticken, alle Anschlisse
anléten,
erst dann die Klammer entfernen.
(Entsprechend mit dem blankem
Draht verfahren).
Vorsichtsma&nahmen wahrend der C-MOS I.S. Priifung
Die C-MOS-IS
(Komplementaér und MOS) sind MOS-!S, deren
Ausgangsstufen
aus
N-Kanal-u.
P-Kanal
FET's
bestehen
und
k6énnen
deshalb
mit héherer
Geschwindigkeit
arbeiten. Wenn
diese Ausgangsstufen
mit +U,g oder -—U, Spannung
Kontakt
bekommen,
kann der leitende FET zwischen der Versorgungs-
spannung liegen (Abb. |).
Dasselbe gilt fir alle Ausgangsstufen, die elektrisch miteinander
verbunden sind. Auch solche, die nicht in unmittelbarer Nahe oder
auf einer anderen Leiterplatte sind, kGnnen zerst6rt werden.
Zum Beispiel
Example :
e Jake a short length of fine bare wire and wind it around the IC so
that it shorts all the pins of the IC, while it is still in the urethane-
polyester cushion or aluminum foil. This ensures that all the pins
are at the same potential (Fig. E to G).
Dunner blanker Draht
fine bare wire
(stripped solid hookup wire etc.)
Leitfahiger Schaumstoff
oder Aluminium-Folie
partially conductive
urethane-polyester cushion
or aluminum foil
Abb. G Fig.
e When it is necessary to handle the IC with the fingers, do not touch
any pin, and hold the IC at the ends of its plastic-package case as
shown in Fig.H.
5. Method of Mounting
Insert the IC while holding it with the modified clip, and solder all
the pins with the clip still shorting the pins. (Similarly, solder all the
pins while the bare shorting wire is still wound around them).
Remove the clip or the bare shorting wire only after all the pins
have been soldered.
Precaution while Checking C-MOS ICs
The C-MOS ICs (Complementary MOS) are MOS ICs that have their
output sections made
up of N-channel. and P-channel push-pull
stages to increase their speed of operation. If the output terminal of
these [Cs comes into contact with B+ or B- voltage, then the FET
which is ON at that time will either become shorted or open (Fig. 1).
This ts valid for all the output sections that are connected together by
the interconnections. Even the circuits that are physically separated
(and not on the same board) can be destroyed simultaneously.
Wenn diese Leitung mit Masse +Up oder -Up
in Berdhrung kommt, kann die IS zerstért werden.
Abb. | Fig.
If this line is grounded, or touches B+ or B- bus...,
4
this output stage of this IC will be destroyed.
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