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Technische Daten - Siemens SICAM AK Handbuch

Sicam rtus i/o-module
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2.10.3

Technische Daten

Prozessor und Speicher
Prozessor
Programmspeicher
Arbeitsspeicher
Parameterspeicher
Binäre Ausgänge
16 binäre Ausgänge
Nennschaltspannung
Schaltleistung
Maximalschaltleistung /
Schaltspannung / Maximaler
Schaltstrom
Überlastfest
Dauerkurzschlussfest
Schaltspiele
Schaltfrequenz
Spannungsabfall im
Ausgangskreis
Dynamische Belastbarkeit
Ausgangskreise
*)
bei Verwendung der Basismodule DO-6220 und DO-6221 mit der Version -- gelten folgende
reduzierte Werte: 29 W / 24 VDC / 1,2 A
SICAM RTUs, SICAM TM I/O-Module
DC6-040-2.07, Ausgabe 04.2016
PIC18F6527, 10 MHz
intern, FLASH 48 kByte
intern, SRAM 3936 Byte
intern, EEPROM 1024 Bytes
· 2 Gruppen zu je 8 Ausgängen
· galvanische Trennung
· je Gruppe ein gemeinsames Bezugspotential
24/48/60/110 VDC
· min. 10 µA 10 m VDC
· max. 60 W lt. Diagramm
48 W
24 VDC
57 W
48 VDC
60 W
60 VDC
55 W
110 VDC
nein
nein
· Mechanisch:
8
10
· Elektrisch:
5
10
(0,5 A, 110 VDC)
5
5 x 10
(1 A, 30 VDC)
5
10
(2 A, 30 VDC)
max. 100 Hz
< 0,5 V
bei 0,25 A
· Kapazitive Last
max. 100 nF bei 60 V
· Induktive Last
t £ 500 ms (mit externer Freilaufdiode
beliebig)
· Leitungen
Z ³ 100 W, Länge der Leitung bis zu 3 km
· Lampen
£ 150 mA (I
I
N
18...143 VDC
Die Kreise werden mit externer Spannung betrieben.
Standard I/O-Module
*)
2 A
1,2 A
1 A
0,5 A
£ 1,8 A)
EIN
61

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